DMC2450UV-13

想象一下，当您的便携设备需要更长的续航，而电路板空间却寸土寸金时，您是否在寻找一个能同时兼顾高效能与微型化的解决方案？答案就在DMC2450UV-13这颗卓越的双通道MOSFET阵列芯片中。它将N沟道与P沟道MOSFET精妙地集成于一个微小的SOT-563封装内，为您带来前所未有的设计自由度和系统效率提升。

无论是智能手机中复杂的电源管理路径切换，还是可穿戴设备里精细的负载开关控制，DMC2450UV-13都能游刃有余。其20V的漏源电压和最高1.03A的连续漏极电流，确保了在各类低压应用中的稳定可靠。更令人印象深刻的是，它在5V驱动下仅480毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，直接将更多电能转化为设备运行的动力，而非无谓的热量。这意味着您的产品不仅能运行得更“冷静”，还能在单次充电后陪伴用户更久，直接提升了终端产品的核心竞争力和用户体验。

选择DMC2450UV-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它极低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快，响应更迅捷，特别适合需要高频切换的现代数字电路。从-55°C到150°C的广阔工作温度范围，则赋予了产品从严寒到酷暑的全天候适应能力。当您致力于打造更小巧、更智能、更耐用的电子产品时，这颗芯片就是您电路图中那块关键的拼图。如果您正在寻找可靠的技术伙伴与货源，专业的DIODES芯片代理将是您将这一卓越芯片转化为市场优势的坚实桥梁。

• 型号:DMC2450UV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A，700mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37.1pF @ 10V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• 想获取DMC2450UV-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板空间紧张而烦恼，担心功率器件的效率拖累整体性能？DMC2450UV-13正是为您破解困局的利器。这颗来自Diodes Incorporated的N和P沟道MOSFET阵列，能轻松胜任您设备中的电源切换、信号接口保护等关键任务。

它凭借480毫欧@5V的低导通电阻和最高1.03A的负载能力，让您的系统运行更加高效节能，显著减少能量损耗。超小的SOT-563封装为您节省宝贵的PCB面积，而优异的开关特性（Qg仅0.5nC）则确保了快速响应，让您的设计在性能和尺寸上都赢得先机。