DMC2400UV-13

在追求极致紧凑与高效能的设计竞赛中，您的下一个电源管理方案是否还在为空间和性能的平衡而苦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出DMC2400UV-13，这颗来自Diodes Incorporated的先进MOSFET阵列芯片，正是为突破极限而生。它将N沟道与P沟道MOSFET精妙集成于微小的SOT-563封装之内，不仅实现了电路板空间的革命性节省，更以高达20V的漏源电压和出色的导通性能，为您的设备注入强劲而稳定的动力核心。

想象一下，在智能手机、平板电脑、便携式医疗设备或可穿戴产品的精密主板中，每一平方毫米都价值连城。DMC2400UV-13正是为此类空间受限的高密度应用场景量身打造。其双通道设计（1.03A N沟道与700mA P沟道）能够轻松应对负载开关、电源路径管理、信号电平转换等多重任务。无论是管理电池供电系统的能耗，还是在高速数据接口中进行精准的信号切换，它都能确保快速响应与极低的功率损耗，让您的产品在续航与性能上双双赢得用户青睐。

选择DMC2400UV-13，就是选择了一份可靠的价值承诺。其低至480毫欧的导通电阻与仅0.5nC的栅极电荷，意味着更少的发热与更高的开关效率，直接提升了系统整体能效。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，大大增强了产品的耐用性与可靠性。为了确保您能顺畅地获取这颗性能尖兵，我们推荐您通过官方授权的DIODES芯片代理渠道进行采购，从而获得正品保障、技术支持和稳定的供货。立即采用DMC2400UV-13，它不仅是电路板上的一个组件，更是您产品迈向更小巧、更智能、更高效的强大引擎。

• 型号:DMC2400UV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A，700mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37.1pF @ 10V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• 想获取DMC2400UV-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的双MOSFET布局占用宝贵PCB面积而烦恼吗？DMC2400UV-13为您提供一站式解决方案！这颗高度集成的N+P沟道MOSFET阵列，将两个独立通道浓缩于微型SOT-563封装中，让您轻松实现电路简化与空间节约，为您的紧凑型设计释放无限可能。

它能让您高效管理电源路径与信号切换。凭借20V的耐压能力、优异的导通特性（低至480mΩ）和极低的栅极电荷，它能显著降低开关损耗与发热，提升系统整体能效。无论是用于便携设备的负载开关，还是接口的电平转换，都能确保快速、可靠的运行。

更令人放心的是，其坚固的设计支持-55°C至150°C的广泛工作温度，保障了在各种环境下的稳定性和长寿命。选择DMC2400UV-13，就是选择用一颗芯片的力量，让您的产品设计更精简、性能更卓越。