DMC2057UVT-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为体积、功耗和成本之间的平衡而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMC2057UVT-7，这颗来自Diodes Incorporated的先进互补型MOSFET阵列，正是为打破传统局限、释放设计潜能而生。它将高性能的N沟道与P沟道MOSFET集成于一个微小的TSOT-26封装内，不仅为您节省了宝贵的PCB空间，更带来了前所未有的设计灵活性与系统可靠性。

想象一下，在您的手持设备、便携式消费电子或紧凑型工业模块中，DMC2057UVT-7能够轻松驾驭从负载开关、电源路径管理到电机驱动等多种关键任务。其高达4A的连续漏极电流和低至42毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更长的续航和更冷静的运行脱颖而出。无论是应对-55°C到150°C的严苛环境，还是在空间受限的现代设计中，它都能稳定发挥，成为您电路板上最值得信赖的“能量开关”。

选择DMC2057UVT-7，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它不仅仅是一个元件，更是一个提升产品价值、加速上市周期的战略伙伴。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统响应更迅捷。同时，其标准化的引脚和表面贴装设计，极大简化了生产流程。为了确保您能获得稳定可靠的正品供应与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。立即采用DMC2057UVT-7，让它成为您下一款明星产品中，那个虽小却至关重要的强大心脏，驱动无限可能。

• 型号:DMC2057UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta），3.3A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A，1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:416pF @ 10V，536pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 想获取DMC2057UVT-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能同时兼顾高效能与迷你体积的功率开关解决方案吗？DMC2057UVT-7正是为您量身打造。这颗集成了N和P沟道的互补型MOSFET阵列，拥有20V的耐压和最高4A的负载能力，其超低的导通电阻（最低42毫欧）能显著降低功率损耗，直接提升您设备的续航时间和能效表现。

它能让您轻松实现高效的负载切换、电源管理和电机驱动。得益于微小的TSOT-26封装和表面贴装工艺，您可以大幅压缩PCB空间，让产品设计更轻薄、更紧凑。无论是应对快速开关需求，还是在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，DMC2057UVT-7都能提供可靠保障，是您打造高性能、高可靠性电子产品的理想选择。