DMC2004VK-7

在追求极致紧凑与高效能的设计竞赛中，您的下一个项目是否正为空间和性能的平衡而困扰？想象一下，一个仅SOT-563封装的微小身躯，却能同时驾驭N沟道与P沟道，为您的电路板注入双倍动力。这就是DMC2004VK-7带来的颠覆性体验。它不仅仅是一颗MOSFET阵列，更是您实现高密度、高性能设计的秘密武器，让您在有限的PCB面积上，释放出前所未有的电路潜能。

无论是便携式消费电子的电源管理路径切换，还是物联网传感器模块中的高效信号开关，DMC2004VK-7都能游刃有余。其逻辑电平门控特性，意味着它能被微控制器轻松驱动，极大简化了您的驱动电路设计。在智能穿戴设备里，它确保电源高效分配，延长续航；在紧凑型工控模块中，它实现可靠的多路信号控制，稳定如山。从-55°C到150°C的广阔工作温度范围，让它无惧严寒酷暑，适应从消费级到工业级的各种苛刻环境，为您的产品可靠性保驾护航。

选择DMC2004VK-7，就是选择一种更聪明、更高效的设计哲学。它集成了双通道，相比使用两颗独立MOSFET，为您节省了高达50%的宝贵板面空间，同时降低了BOM成本和组装复杂度。670mA和530mA的连续漏极电流能力，配合低至550毫欧的导通电阻，确保了在开关过程中极低的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更出色。这颗芯片是Diodes Incorporated精湛工艺的体现，而通过值得信赖的DIODES代理渠道获取，更能确保您获得原装正品与全面的技术支持。立即采用DMC2004VK-7，化繁为简，让您的产品在小型化与高性能的赛道上领先一步！

• 型号:DMC2004VK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.67A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):670mA，530mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150pF @ 16V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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还在为复杂的双MOSFET布局而烦恼吗？DMC2004VK-7为您提供一站式解决方案！这颗高度集成的N沟道与P沟道MOSFET阵列，封装在微小的SOT-563中，让您轻松实现紧凑电路板上的高效电源路径管理和信号切换。

它拥有20V的耐压和最高670mA的负载能力，逻辑电平门控让您可以直接用MCU驱动，大幅简化设计。其优异的导通特性（低至550mΩ）和宽温工作范围，确保您的应用从便携设备到工业控制都能高效、稳定运行。选择它，就是选择效率与可靠性的双重保障。