DMC1028UFDB-13

想象一下，您的下一代便携设备能否在更小的空间内实现更复杂的电源管理和信号切换？这正是DMC1028UFDB-13为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N/P沟道MOSFET阵列，它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现高效、紧凑设计的秘密武器。在当今追求极致能效和微型化的市场中，选择正确的功率开关解决方案，往往决定了产品的最终竞争力。

这款芯片的卓越性能，直接体现在您产品的实际应用中。无论是智能手机中复杂的负载开关与电源路径管理，还是平板电脑里需要精密控制的背光驱动与USB端口保护，DMC1028UFDB-13都能游刃有余。其12V和20V的漏源电压选项，配合高达6A的连续漏极电流，为各种低压应用场景提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是其极低的导通电阻在4.5V驱动下仅25毫欧，这意味着更少的功率损耗和更低的发热，直接延长了您设备的续航时间，并提升了系统可靠性。当您需要处理高速信号切换时，其低至18.5nC的栅极电荷确保了快速的开关响应，让您的系统运行如丝般顺滑。

为何众多领先的设计师都将目光投向DMC1028UFDB-13？答案在于它完美平衡了性能、尺寸与成本。采用先进的6-UDFN超薄扁平无引线封装，它能为您的PCB布局节省出宝贵的空间，让您有更多余地去集成其他功能或进一步缩小产品体积。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品从消费电子到工业控制领域的强大适应力。选择它，就是选择了一份经过市场验证的稳定与高效。如果您正在寻找可靠的供应与技术支持，DIODES中国代理将为您提供从样品到量产的全方位支持，确保您的创新想法能够顺利转化为成功的产品。现在就为您的设计注入这颗高效能“心脏”，开启性能与效率的新篇章。

• 型号:DMC1028UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V/20V 6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A，3.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.5nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:787pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.36W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
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还在为空间有限的电路板寻找高性能的功率开关方案吗？DMC1028UFDB-13正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated推出的N和P沟道MOSFET阵列，能轻松胜任12V/20V系统中的电源管理、信号切换与负载驱动任务，让您的设计事半功倍。

它集成了卓越的电气特性：高达6A的驱动能力配合仅25毫欧的低导通电阻，能显著降低功率损耗，提升整体能效；而极低的栅极电荷则确保了快速开关，响应迅捷。其紧凑的6-UDFN封装，为您节省每一毫米的宝贵空间，同时宽广的工作温度范围让产品适应力更强。选择DMC1028UFDB-13，就是为您的设备选择了一颗高效、可靠且节省空间的核心动力。