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DMC1018UPDWQ-13
的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
DMC1018UPDWQ-13
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 12V 10A PWRDI50
原厂封装:
封装:PowerDI5060-8(UXD 类)
优势价格,DMC1018UPDWQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMC1018UPDWQ-13的技术资料下载
DMC1018UPDWQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
型号:DMC1018UPDWQ-13
品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
封装:PowerDI5060-8(UXD 类)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 12V 10A PWRDI50
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:N 和 P 沟道互补型
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):12V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta),31.3A(Ta),6.7A(Ta),20.9A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 11.8A,4.5V,38 毫欧 @ 8.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):30.4nC @ 8V,19nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1525pF @ 6V,866pF @ 6V
功率 - 最大值:2.6W(Ta),25W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PowerDI5060-8(UXD 类)
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