DMC1017UPD-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个汽车电子项目是否还在为寻找一颗既能简化电路、又能稳定驱动负载的功率开关而烦恼？答案或许就藏在DMC1017UPD-13这颗精巧的互补型MOSFET阵列之中。它将N沟道与P沟道MOSFET集成于一个微小的8-PowerTDFN封装内，不仅为您节省了宝贵的PCB空间，更通过高达12V的耐压和出色的电流处理能力（连续漏极电流最高达13A），为系统注入强劲而可靠的动力核心。其极低的导通电阻（最低仅17毫欧）意味着更少的能量损耗在发热上，更多的能量用于驱动您的负载，直接转化为更长的续航与更低的系统温升，让整体性能与可靠性双双跃升。

想象一下，在车身控制模块中，它能够优雅地管理车窗升降、座椅调节或LED照明驱动；在信息娱乐系统的电源路径管理中，它确保供电的纯净与高效切换。这颗芯片天生为汽车级的严苛环境而生，通过了AEC-Q101认证，工作温度横跨-55°C至150°C的广阔范围，无惧严寒酷暑的挑战，保障从启动到行驶全程的稳定表现。即便面对复杂的电磁环境，其优化的栅极电荷与输入电容参数也确保了快速、干净的开关动作，有效减少噪声干扰，让信号更清晰，系统运行更宁静。选择与可靠的DIODES芯片代理合作，您获得的不仅是一颗高品质芯片，更是从选型到供应的全程安心保障。

为何众多工程师在同类产品中青睐DMC1017UPD-13？因为它不仅仅是一个组件，更是一个经过深思熟虑的解决方案。互补对的设计省去了额外寻找和匹配分立器件的繁琐，大幅简化了电路设计和物料清单。表面贴装形式适配现代化高密度生产线，提升制造效率。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、经过市场验证的可靠性以及可能存在的库存或替代方案咨询价值，使其依然是特定项目或现有产品维护时一个极具参考意义的标杆。它代表了一种设计哲学：在有限的物理空间内，通过高度集成和优化，释放出最大的电气性能，助力您的产品在竞争中脱颖而出，赢得市场。

• 型号:DMC1017UPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 13A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），9.4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 11.8A，4.5V，32 毫欧 @ 8.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.6nC @ 4.5V，23.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1787pF @ 6V，2100pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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您是否正在寻找一颗能同时驾驭N沟道和P沟道任务，为汽车电子系统提供紧凑、高效开关解决方案的芯片？DMC1017UPD-13正是为此而生。这颗双MOSFET阵列将互补型N和P沟道器件集成于微型8-PowerTDFN封装，让您轻松实现推挽输出、电平转换或负载开关等关键电路，大幅节省板卡空间，简化您的设计布局。

它拥有12V的耐压和最高13A的连续电流处理能力，配合低至17毫欧的导通电阻，确保驱动负载时高效有力，功耗与发热却显著降低。其汽车级（AEC-Q101）品质和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），赋予您应对严苛环境挑战的十足信心，是提升车身控制、电源管理等模块可靠性与性能的得力助手。