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DGD0636S28-13的图片

DGD0636S28-13

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:IC GATE DRVR HALF-BRDG 28SO 1.5K
原厂封装:封装:28-SO
优势价格,DGD0636S28-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DGD0636S28-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效与可靠性的电机控制领域,您是否还在为驱动方案的复杂度和性能瓶颈而困扰?现在,一颗集高效、可靠与灵活于一身的驱动核心DGD0636S28-13,将彻底改变您的设计体验。它不仅仅是一个栅极驱动器,更是您释放系统潜能、迈向更高阶性能的钥匙。

想象一下,在工业自动化产线上,伺服电机需要精准、快速且稳定地响应每一个指令;在高效变频家电中,压缩机与风机必须安静、平滑且节能地运转。DGD0636S28-13正是为此类严苛应用而生的卓越解决方案。其专为驱动N沟道MOSFET设计的三相半桥架构,能够完美驾驭从BLDC电机到永磁同步电机的各类负载。高达100V的自举电压和宽广的10V至20V供电范围,赋予了它强大的适应能力,无论是应对工业现场的电压波动,还是满足消费电子对紧凑空间的需求,都游刃有余。峰值输出电流达到350mA(拉出)和200mA(灌入),配合仅90ns和35ns的快速开关特性,确保了功率器件能够被迅速、干净地驱动,极大降低了开关损耗,让您的系统效率显著提升,运行更加冷静。

选择DGD0636S28-13,就是选择了一份从容与信心。其反相输入逻辑提供了直观的控制接口,简化了您的系统设计。表面贴装的28-SOIC封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其工业级的宽温工作范围(-40°C至150°C结温)更是可靠性的坚实保障,确保您的产品即使在极端环境下也能稳定运行,延长使用寿命。当您寻求稳定可靠的供应链与专业的技术支持时,选择权威的DIODES代理合作伙伴至关重要,它能确保您获得正品元件与全方位的服务,让您的创新之旅畅通无阻。让DGD0636S28-13成为您下一代电机驱动设计的核心动力,共同开启高效、智能控制的新篇章。

  • 型号:DGD0636S28-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:28-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRDG 28SO 1.5K
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:3 相
  • 驱动器数:6
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2.4V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):200mA,350mA
  • 输入类型:反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):100 V
  • 上升/下降时间(典型值):90ns,35ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:28-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:28-SO
  • 想获取DGD0636S28-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能同时驾驭效率、速度与可靠性的三相电机驱动核心吗?DGD0636S28-13正是您期待的答案。这颗高性能半桥栅极驱动器,专为驱动N沟道MOSFET而优化,能轻松为您构建高效的三相电机驱动系统。

它拥有高达100V的自举电压和10V-20V的宽供电范围,让您的设计适应性强,从容应对多种电压场景。高达350mA的拉出峰值电流和仅35ns的快速下降时间,确保功率MOSFET被高效、干净地驱动,显著降低开关损耗,直接提升您的系统整体能效。其坚固的28-SOIC封装和-40°C至150°C的宽工作结温范围,更为您的产品提供了从工业自动化到高端家电所需的卓越可靠性。

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