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DGD0547FN-7的图片

DGD0547FN-7

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
原厂封装:封装:W-DFN3030-10
优势价格,DGD0547FN-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DGD0547FN-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

当您的电源设计面临效率瓶颈、体积限制或可靠性挑战时,是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与高速开关的驱动核心?现在,答案来了。我们隆重推出DGD0547FN-7,这颗来自Diodes Incorporated的先进半桥栅极驱动器,正是为突破极限、释放系统潜能而生的动力引擎。它不仅是一个组件,更是您实现高效、紧凑且可靠电源架构的战略性选择。

想象一下,在您的电机驱动、DC-DC转换器或服务器电源中,DGD0547FN-7正以其高达60V的宽供电电压范围和卓越的同步驱动能力,从容应对各种严苛工况。其高达2A拉出与1.5A灌入的峰值电流,配合快至16ns的上升时间,意味着它能以惊人的速度精准驱动功率MOSFET,显著降低开关损耗,让系统整体效率跃升至新高度。无论是工业自动化设备中需要精确控制的电机,还是数据中心里追求极致能效的电源模块,它都能确保动力传输既强劲又干净利落。

选择DGD0547FN-7,就是选择了一份从容与保障。其宽达-40°C至125°C的工作温度范围,让它无惧严寒酷暑,在各种环境下稳定运行,极大提升了终端产品的耐用性和市场竞争力。紧凑的10-WFDFN表面贴装封装,为您节省了宝贵的PCB空间,让设计更加灵活自由。更重要的是,通过与值得信赖的DIODES芯片代理合作,您不仅能获得这颗性能卓越的芯片,还能享受到稳定的供货保障、专业的技术支持与高效的供应链服务,让您的产品从设计到量产一路畅行。立即采用DGD0547FN-7,让它成为您下一代电源解决方案中不可或缺的智慧心脏,共同开启高效、可靠的电能新纪元。

  • 型号:DGD0547FN-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:W-DFN3030-10
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:0.3V ~ 60V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2.4V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,2A
  • 输入类型:CMOS/TTL
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):50 V
  • 上升/下降时间(典型值):16ns,12ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:10-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:W-DFN3030-10
  • 想获取DGD0547FN-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能完美驱动半桥拓扑、兼具高性能与高可靠性的栅极驱动器而烦恼吗?DGD0547FN-7正是您期待的解决方案。这颗芯片专为驱动N沟道MOSFET而优化,拥有0.3V至60V的宽电压适应能力和强劲的2A/1.5A峰值输出电流,能轻松、高效地控制功率开关,显著提升您的电源转换效率。

它采用先进的CMOS/TTL兼容输入,响应迅速且抗干扰能力强,其极短的上升/下降时间(典型值16ns/12ns)能大幅降低开关损耗。无论是用于电机驱动、DC-DC转换还是UPS系统,DGD0547FN-7都能让您的设计在-40°C到125°C的广阔温度范围内稳定工作,并以微小的DFN3030-10封装为您节省宝贵空间,是打造紧凑、高效、可靠电力系统的理想核心。

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