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DDTC143TE-7的图片

DDTC143TE-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
原厂封装:封装:SOT-523
优势价格,DDTC143TE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DDTC143TE-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致空间利用与稳定性能的电子设计中,您是否常常为分立元件的布局和匹配而烦恼?想象一下,一颗集成了偏置电阻的微型晶体管,能够直接替换多个分立器件,将电路板空间节省30%以上,同时显著提升生产良率这正是DDTC143TE-7为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的预偏置NPN晶体管,它不仅仅是一个元件,更是您实现设计简化、成本优化和可靠性飞跃的智能解决方案。

这款芯片天生为高密度、高可靠性的应用场景而生。无论是智能手机中复杂的信号调理电路、便携式医疗设备里精密的传感器接口,还是物联网终端中需要长时间稳定运行的开关与控制模块,DDTC143TE-7都能游刃有余。其内置的4.7 kOhm基极电阻,彻底消除了外部电阻选型和焊接的环节,让您的电路从设计到量产一路畅通。高达50V的集射极击穿电压和100mA的集电极电流能力,赋予了它强大的驱动和耐受性,确保在各类严苛环境下依然表现稳健。而SOT-523的超小型封装,更是将“寸土寸金”的PCB空间利用率提升到了新的高度,让您的产品设计更加紧凑、轻盈。

选择DDTC143TE-7,就是选择了一份经过验证的可靠性与极致的便捷性。它简化了您的物料清单(BOM),减少了供应链管理的复杂度,并大幅降低了因分立元件匹配不当引发的潜在故障风险。其优异的DC电流增益(hFE最小值100)和低至300mV的饱和压降,意味着更高的能效和更清晰的信号开关。虽然该型号已处于停产状态,但通过可靠的DIODES一级代理渠道,您依然可以获得稳定优质的货源,为现有产品的持续生产与维护提供坚实保障。让这颗高度集成的小芯片,成为您提升产品竞争力、加速上市进程的秘密武器。

  • 型号:DDTC143TE-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R1
  • 电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 250A,2.5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • 想获取DDTC143TE-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗?DDTC143TE-7正是为您解忧的利器。这颗由Diodes Incorporated出品的预偏置NPN晶体管,将晶体管与4.7 kOhm的基极电阻完美集成于微小的SOT-523封装内,它能直接替换您设计中传统的“晶体管+电阻”组合,让您轻松节省宝贵的PCB面积,并彻底告别外部电阻的选型与焊接烦恼。

它能让您的设计高效又可靠。凭借50V的高耐压和100mA的驱动能力,它能稳健地处理各种信号开关与放大任务。其优异的性能参数,如高电流增益和低饱和压降,确保了信号处理的精准与高效。无论是用于便携设备的负载开关,还是消费电子中的电平转换,DDTC143TE-7都能以高度集成的方案,助您简化生产流程,提升产品的一致性与可靠性。

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