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DDTA123EUA-7-F的图片

DDTA123EUA-7-F

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,DDTA123EUA-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DDTA123EUA-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致紧凑与高效能的设计中,工程师们是否常常为电路板上宝贵的空间和复杂的偏置电路而烦恼?现在,一颗微小的解决方案正静待您的发现。DDTA123EUA-7-F的到来,正是为了终结这种困扰。这款来自Diodes Incorporated的预偏置PNP晶体管,将传统分立方案所需的多个元件晶体管和偏置电阻精妙地集成在一个微小的SOT-323封装内,直接为您节省高达70%的板级空间,让您的设计瞬间变得清爽而高效。

想象一下,在那些对空间极其敏感的便携式设备、可穿戴电子产品或高密度模块中,每一平方毫米都价值连城。DDTA123EUA-7-F凭借其仅200mW的最大功耗和高达50V的集射极击穿电压,能够轻松驾驭从信号切换、电平转换到驱动小型负载等多种任务。其内置的2.2 kOhms基极与发射极电阻,为您免去了外部偏置计算的繁琐,确保电路在20mA电流下依然拥有稳定的放大性能。这意味着,无论是智能手表的传感器接口,还是物联网节点的电源管理模块,它都能以极高的可靠性默默工作,成为您产品稳定运行的隐形守护者。

选择DDTA123EUA-7-F,不仅仅是选择了一颗芯片,更是选择了一种更智能、更简洁的设计哲学。它显著降低了BOM清单的复杂度,减少了贴片工序,从而直接压缩了生产成本并提升了量产一致性。其优异的250MHz跃迁频率和低至300mV的饱和压降,保证了信号处理的高速与低损耗。虽然该型号已处于停产状态,但通过可靠的DIODES代理渠道,您依然可以获取库存或找到完美的替代方案,确保您的项目供应链无忧。让这颗高度集成的小巨人,为您的下一个创新产品注入强大的核心动力,化繁为简,赢在起点。

  • 型号:DDTA123EUA-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):2.2 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 20mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500A,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:250 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取DDTA123EUA-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为设计紧凑型电路的偏置问题头疼吗?让DDTA123EUA-7-F来为您轻松解决!这颗高度集成的预偏置PNP晶体管,将晶体管与两个2.2 kOhms电阻合二为一,直接内置在微小的SOT-323封装中。它为您省去了外部偏置电阻的选型和布局烦恼,极大简化了电路设计。

这颗芯片能为您做什么?它能让您的小信号放大、开关和接口电路设计变得异常高效。凭借100mA的集电极电流能力和50V的耐压,它能稳定处理各种控制与驱动任务。其低至500nA的截止电流和优异的频率响应,确保您的设备在获得精简设计的同时,丝毫不损失性能与能效,是空间受限应用的理想选择。

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