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D6V3H1U2LP4-7B的图片

D6V3H1U2LP4-7B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TVS DIODE 6.3VWM X2DFN10062
原厂封装:封装:X2-DFN1006-2
优势价格,D6V3H1U2LP4-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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D6V3H1U2LP4-7B的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

当您的精密电路面临瞬间浪涌冲击时,您是否曾担忧过那微小的电压尖峰会成为整个系统稳定性的阿喀琉斯之踵?在追求极致可靠性的道路上,一颗强大的守护者至关重要。今天,我们向您隆重介绍D6V3H1U2LP4-7B这不仅仅是一颗瞬态电压抑制二极管,更是您产品抵御电气噪声和浪涌冲击的隐形铠甲。它能以高达30A的峰值脉冲电流吸收能力,将危险的过电压瞬间钳制在安全的12.5V以下,确保您核心元器件的绝对安全。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或是精密的通信接口中,空间极其有限,但可靠性要求却分毫不能妥协。这正是Diodes Incorporated这款明星产品大显身手的舞台。其超紧凑的0402封装,几乎不占用宝贵的PCB空间,却能提供高达375W的峰值脉冲功率防护。无论是来自静电放电的突然袭击,还是电源线上偶发的感应雷击浪涌,它都能迅速响应,像一位忠诚的卫士,默默守护着信号线和数据线的纯净与稳定。尤其对于电池供电设备,其低至200pF的电容值意味着对高速数据信号的干扰微乎其微,让性能与保护得以兼得。

选择D6V3H1U2LP4-7B,就是选择了一份从容与安心。它宽广的工作温度范围(-65°C至150°C)使其能够从容应对从极寒到酷热的严苛环境挑战,确保您的产品在任何角落都坚如磐石。其6.3V的反向断态电压与6.5V的最小击穿电压,为常见的3.3V或5V逻辑电路提供了精准而充裕的保护窗口。这意味着,您无需为过高的钳位电压而担忧损坏敏感芯片,也无需为保护不足而提心吊胆。如果您正在寻找一个值得信赖的解决方案,我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位技术支持,帮助您轻松将这份强大的保护集成到您的下一个创新设计中。

  • 型号:D6V3H1U2LP4-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X2-DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 6.3VWM X2DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):6.3V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):6.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):12.5V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:375W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:200pF @ 1MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X2-DFN1006-2
  • 想获取D6V3H1U2LP4-7B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上宝贵的空间和复杂的保护设计而烦恼吗?让D6V3H1U2LP4-7B来为您化繁为简!这颗来自Diodes Incorporated的瞬态电压抑制二极管,专为守护您的精密电路而生。它能以高达30A的浪涌吸收能力,将危险的过电压瞬间“制服”,钳位在安全的12.5V以下,让您的核心芯片远离静电和浪涌的威胁。

更令人惊喜的是,它将这些强大的保护功能浓缩于微小的0402封装之中,几乎不占空间,却能让您的设计可靠性大幅跃升。其极低的电容特性,确保在保护高速数据线时几乎不影响信号完整性。选择它,就是为您的产品选择了一位高效、可靠且不占地方的“贴身保镖”,让您轻松应对各种严苛的应用环境。

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