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| D4V7S1US2SLP-7B的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
D4V7S1US2SLP-7B的图片

D4V7S1US2SLP-7B

DIODES图标
电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：TVS DIODE 4.7VWM X1DFN10062
原厂封装：封装:X1-DFN1006-2（SA 类）
优势价格，D4V7S1US2SLP-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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D4V7S1US2SLP-7B的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:D4V7S1US2SLP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2（SA 类）
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 4.7VWM X1DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态（典型值）:4.7V（最大）
  • 电压 - 击穿（最小值）:4.8V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:7.3V（典型值）
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):90A（8/20s）
  • 功率 - 峰值脉冲:657W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:290pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:2-XDFN
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2（SA 类）
  • 想获取D4V7S1US2SLP-7B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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