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BZX84C6V8W-7-F的图片

BZX84C6V8W-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 6.8V 200MW SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,BZX84C6V8W-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C6V8W-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压的微小波动而烦恼?当关键信号需要精准的参考,或是敏感元件亟需可靠的保护时,一个微小而强大的守护者往往能决定整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍这位电路中的“稳压卫士”BZX84C6V8V8W-7-F。它不仅仅是一颗齐纳二极管,更是您构建稳健、高效电子系统的信心基石。

想象一下,在紧凑的便携设备内部,空间寸土寸金,每一毫瓦的功耗都关乎用户体验与续航。BZX84C6V8W-7-F以其SOT-323超小型封装,轻松融入最苛刻的布局,同时提供高达200mW的稳定功耗能力。其精准的6.8V齐纳电压(容差仅±6%),如同一位忠诚的哨兵,确保电压基准坚如磐石,让您的ADC采样更准确,让逻辑电平转换更可靠。从-65°C到125°C的宽广工作温度范围,意味着无论是严寒还是酷暑,它都能坚守岗位,保障设备从工业现场到消费电子的全天候稳定运行。

这颗芯片的价值,在丰富的应用场景中熠熠生辉。在电源管理模块中,它是低成本、高效率的电压钳位和稳压专家,保护后级IC免受浪涌冲击;在通信接口和数字电路中,它提供清晰的逻辑电平参考,确保数据高速传输的完整性;在精密的传感器供电线路上,它滤除噪声,为微弱信号放大提供纯净的电压环境。选择BZX84C6V8W-7-F,就是为您的产品选择了一份经得起考验的可靠性。其极低的反向泄漏电流(仅2A @ 4V)和优化的动态阻抗,最大限度地减少了自身损耗对系统能效的影响,让高性能与低功耗得以兼得。

为何众多工程师在需要6.8V基准或保护时,会毫不犹豫地选择它?答案在于其背后Diodes Incorporated强大的技术底蕴与卓越的品控体系。这颗芯片代表了在微型化与高性能之间的完美平衡。它简化了您的设计,减少了外围元件,直接降低了整体BOM成本和PCB面积。当您寻求稳定供应与技术支持时,信赖专业的DIODES代理至关重要,他们能确保您获得正品货源与及时的技术支持,让您的产品从设计到量产一路畅通。BZX84C6V8W-7-F,以微小身躯,承载稳定重任,是您迈向产品卓越不可或缺的关键一环。

  • 型号:BZX84C6V8W-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 6.8V 200MW SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 4 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取BZX84C6V8W-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能精准稳压、有效防护,同时节省空间的解决方案吗?BZX84C6V8W-7-F正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的200mW齐纳二极管,以其稳定的6.8V击穿电压,为您电路中的关键节点提供坚实的电压基准和可靠的过压保护,让您的设计远离电压波动带来的风险。

它采用超紧凑的SOT-323封装,能轻松布局于高密度电路板,极大节省您的宝贵空间。其宽广的工作温度范围(-65°C ~ 125°C)和优异的电气特性,确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定工作。选择它,就是选择了一种高效、省心的设计方式,让您能更专注于核心功能的创新与优化。

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