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BZX84C4V7-7的图片

BZX84C4V7-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 4.7V 300MW SOT23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,BZX84C4V7-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C4V7-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压波动而烦恼?当关键信号需要精准的4.7V基准时,一个微小的偏差就可能导致整个系统性能打折。这正是BZX84C4V7-7大显身手的舞台。作为Diodes Incorporated精心打造的单齐纳二极管,它不仅仅是一个元件,更是您电路中的“定海神针”,以其±6%的精准容差和高达300mW的功率处理能力,为您的设计注入坚如磐石的可靠性。在-65°C到150°C的严苛温度范围内,它依然能稳定输出,让您的产品无惧环境挑战,性能始终如一。

想象一下,在便携式消费电子的电源管理模块中,它默默守护着低压逻辑电路的供电安全;在精密的传感器信号调理前端,它提供着稳定的参考电压,确保数据采集的准确性;甚至在工业控制板的I/O端口保护电路中,它都能迅速响应,吸收浪涌,保护核心器件。这颗小巧的SOT-23-3封装器件,体积虽小,能量却大,其80欧姆的最大动态阻抗意味着它在稳压时响应迅速,电压变化平滑,能有效滤除噪声,为您的敏感电路创造一个“安静”的工作环境。无论您的项目是追求长续航的物联网设备,还是要求高可靠性的汽车电子子系统,它都能完美融入,成为提升整体品质的关键一环。

选择BZX84C4V7-7,就是选择了一份经过市场验证的安心。其稳定的4.7V齐纳电压,配合仅3A@2V的低反向漏电流,在提供卓越稳压性能的同时,最大限度地降低了功耗,这对于电池供电设备而言至关重要。其表面贴装设计让自动化生产变得轻松高效,大幅提升您的制造良率。虽然该型号已进入停产状态,但通过可靠的DIODES芯片代理渠道,您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持,确保供应链的连续性与设计方案的长期可维护性。让这颗经典而高效的齐纳二极管,成为您打造下一代创新产品的得力助手,以微小的投入,换取系统性能的巨大飞跃。

  • 型号:BZX84C4V7-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 4.7V 300MW SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取BZX84C4V7-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗可靠、精准的4.7V稳压核心而费神吗?让BZX84C4V7-7来轻松解决您的难题!这颗来自Diodes Incorporated的齐纳二极管,专为提供稳定的电压基准和电路保护而设计。它能将电压精准钳位在4.7V(容差±6%),有效吸收高达300mW的过压能量,确保您后级敏感电路的安全与稳定。

您可以将它轻松部署在电源管理、信号调理或端口保护等关键位置。其SOT-23-3超小封装节省宝贵空间,宽广的-65°C至150°C工作温度范围让您的产品无惧严寒酷暑。选择它,就是为您的设计选择了一份高效、省心的可靠性保障。

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