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BZX84C39T-7-F的图片

BZX84C39T-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 39V 150MW SOT523
原厂封装:封装:SOT-523
优势价格,BZX84C39T-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C39T-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在精密电路设计中,如何确保关键节点电压的绝对稳定,同时不牺牲宝贵的PCB空间?这正是BZX84C39T-7-F齐纳二极管为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的39V稳压解决方案,以其±5%的精准容差和仅150mW的超低功耗,正在重新定义小型化电子设备的电压基准与保护标准。它不仅仅是一个元件,更是您产品可靠性的坚实守护者,让每一次电压波动都变得可控、可预测。

想象一下,在您的手持医疗监测设备中,传感器前端需要一个极其稳定的参考电压来确保测量精度;或者在您的工业物联网模块中,微控制器的I/O端口需要可靠的过压保护来应对复杂的现场环境。BZX84C39T-7-F正是为这些场景而生。其39V的精准击穿电压,配合130欧姆的最大动态阻抗,能够在宽泛的工作温度(-65°C至150°C)下提供出色的电压箝位性能。无论是作为电压基准源,还是作为瞬态电压抑制器,它都能让您的电路在各种严苛条件下保持稳定运行,大幅提升终端产品的耐用性和用户信任度。

选择BZX84C39T-7-F,意味着您选择了一种高效的设计哲学。其微型的SOT-523封装,为高密度电路板布局释放了巨大空间,让您的产品设计更加紧凑、时尚。同时,其极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 27.3V)意味着更低的静态功耗,这对于电池供电的便携设备而言,是延长续航时间的直接贡献。当您需要稳定、可靠且高效的齐纳二极管解决方案时,与专业的DIODES代理商合作,获取BZX84C39T-7-F及其全面的技术支持,无疑是加速项目成功、优化供应链的明智之举。让这颗小小的芯片,成为您产品设计中强大而宁静的稳定基石。

  • 型号:BZX84C39T-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 39V 150MW SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):130 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 27.3 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • 想获取BZX84C39T-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗既能精准稳压,又极致节省空间的解决方案?BZX84C39T-7-F齐纳二极管正是为您而来。它能为您提供高达39V的稳定电压基准,容差精准控制在±5%以内,让您的电路设计摆脱电压漂移的困扰,确保信号处理或电源管理的核心精度。

这颗芯片能轻松胜任电压箝位、过压保护及基准电压源等多种角色。其150mW的最大功耗和微型SOT-523表面贴装封装,让您在高密度PCB设计中游刃有余,同时有效降低系统能耗。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,更确保了它在各类严酷环境下的可靠表现,是提升产品稳健性的高效选择。

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