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BZX84C2V7-7的图片

BZX84C2V7-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 2.7V 300MW SOT23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,BZX84C2V7-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C2V7-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

当您的电路设计需要精准的电压基准或可靠的过压保护时,您是否曾为寻找一颗性能稳定、尺寸小巧且性价比极高的齐纳二极管而烦恼?现在,答案就在眼前。让我们隆重介绍BZX84C2V7-7,这颗来自Diodes Incorporated的明星级齐纳二极管,专为现代紧凑型电子设备而生。它不仅仅是一个简单的2.7V稳压元件,更是您提升产品可靠性与性能的秘密武器。其±7%的精密容差,意味着它能为您提供高度一致的电压基准,确保您的电路在各种环境下都能稳定运行,从-65°C的严寒到150°C的高温,它都无所畏惧。

想象一下,在您的手持设备、便携式仪表或精密的传感器模块中,空间是多么宝贵。BZX84C2V7-7采用经典的SOT-23-3表面贴装封装,体积微小,却能提供高达300mW的功率处理能力。这使它成为电池供电设备、低压逻辑电路保护、以及信号调理电路中不可或缺的守护者。无论是为微处理器内核提供稳定的参考电压,还是在数据线上防止静电放电(ESD)和瞬态电压的冲击,它都能默默坚守岗位,确保信号的纯净与系统的安全。选择它,就是为您的产品选择了一份从容与安心。

那么,在众多齐纳二极管中,为何独独青睐BZX84C2V7-7?理由清晰而有力。首先,其100欧姆的最大齐纳阻抗(Zzt)确保了优异的稳压特性,电压波动更小。其次,极低的反向泄漏电流(仅20A @ 1V)意味着更低的功耗和更长的电池寿命,这对于追求能效的现代电子产品至关重要。最后,其正向压降仅为900mV @ 10mA,展现了出色的整体性能。虽然该型号已进入停产状态,但通过可靠的DIODES授权代理渠道,您依然可以获取高质量的库存或替代方案建议,确保您的生产供应链不受影响。这颗小小的芯片,承载的是Diodes品牌一贯的高品质与可靠性,是让您的设计脱颖而出、赢得市场信任的坚实基石。

  • 型号:BZX84C2V7-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 2.7V 300MW SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V
  • 容差:±7%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取BZX84C2V7-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的电压波动而头疼吗?BZX84C2V7-7就是您期待的稳压专家。这颗2.7V齐纳二极管,能以±7%的高精度,为您敏感的电路节点提供一个坚如磐石的电压基准,轻松抵御来自电源或外界的干扰,确保核心芯片始终工作在最佳状态。

它不仅仅能稳压,更能守护。凭借300mW的功率处理和仅100欧姆的动态阻抗,它能高效吸收意外的电压尖峰,为您的数据线、I/O端口提供可靠的过压保护。其SOT-23-3的超小封装,让您能在极其有限的空间内实现高性能的电路设计,无论是便携设备还是高密度主板,都能轻松集成。

从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,让它能适应从工业到消费电子的各种严苛环境。选择BZX84C2V7-7,就是选择了一份让您省心的高效与稳定,助力您的产品在竞争中赢得先机。

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