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BZX84C11-7-F的图片

BZX84C11-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 11V 300MW SOT23-3
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,BZX84C11-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C11-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在电子设计的精密世界里,您是否曾为寻找一款稳定可靠、性能卓越的电压基准或保护元件而反复权衡?今天,我们为您带来一个经过市场验证的出色答案BZX84C11-7-F。这款来自Diodes Incorporated的11V齐纳二极管,以其±5%的精准容差和高达300mW的功率处理能力,正成为工程师们构建稳健电路的首选基石。它不仅仅是一个元件,更是您产品稳定性和可靠性的坚实守护者。

想象一下,在您的便携式设备中,需要为敏感的微处理器或传感器提供一个稳定的参考电压;或者在电源输入端,需要一道可靠的屏障来吸收意外的电压尖峰,保护后续昂贵的核心芯片。BZX84C11-7-F正是为此而生。其紧凑的SOT-23-3封装,完美适配高密度的现代PCB布局,从消费电子到工业控制,从通信模块到汽车电子,它都能轻松融入,默默无闻地提供着至关重要的电压钳位与稳压功能。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,意味着无论您的设备身处严寒还是酷热,它都能稳定如一,确保系统全天候可靠运行。

选择BZX84C11-7-F,就是选择了一份省心与高效。它极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 8V)意味着更低的静态功耗,有助于延长电池续航。其20欧姆的最大动态阻抗确保了出色的稳压性能,即使在负载变化时也能维持电压平稳。当您需要可靠的供应链支持时,通过专业的DIODES芯片代理,您可以轻松获得正品保障和及时的技术支持,让您的项目从设计到量产一路畅通。这款有源状态的成熟产品,已经过无数应用的考验,是您规避设计风险、加速产品上市进程的明智之选。

  • 型号:BZX84C11-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 11V 300MW SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取BZX84C11-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的电压波动而烦恼吗?让BZX84C11-7-F成为您设计中的“定海神针”。这颗来自Diodes的11V齐纳二极管,能为您提供精准的电压基准和可靠的过压保护,轻松将不稳定电压牢牢钳位在安全范围,确保后续核心器件安然无恙。

它拥有±5%的高精度和300mW的强劲功率处理能力,配合SOT-23-3超小封装,让您能在极其有限的空间内实现高效稳压。无论是应对严苛的温度环境(-65°C ~ 150°C),还是抑制微安级的漏电流,它都游刃有余,显著提升您整个系统的稳定性和能效。

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