BZX84B13-7-F

在精密电路设计中，您是否曾为电压波动而烦恼？当系统需要稳定的13V基准电压时，一个微小的偏差就可能导致整个模块性能下降。这正是BZX84B13-7-F大显身手的时刻这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管，以±2%的严格容差和13V的精准稳压值，为您的设计注入前所未有的稳定性。想象一下，在-65°C到150°C的极端温度范围内，它依然能保持卓越性能，让您的产品在各种严苛环境下都能可靠运行。

无论是便携式设备的电源管理，还是工业控制系统的电压参考，BZX84B13-7-F都能轻松胜任。它的表面贴装设计和紧凑的SOT-23-3封装，特别适合空间受限的现代电子产品。当您需要为微处理器、传感器或通信模块提供稳定的偏置电压时，这颗芯片就像一位沉默的守护者，默默确保每个电路节点都在最佳电压下工作。更令人惊喜的是，它的反向泄漏电流低至100nA @ 8V，这意味着更低的功耗和更长的电池寿命，为您的能效设计加分。

选择BZX84B13-7-F的理由远不止于此。300mW的最大功率处理能力，配合仅30欧姆的动态阻抗，让它能在负载变化时快速响应，维持电压稳定。正向压降低至900mV @ 10mA的特性，进一步提升了整体效率。当您从DIODES一级代理采购时，不仅能获得原厂品质保证，还能享受专业的技术支持和稳定的供货渠道。这颗芯片代表的不仅是元器件，更是您产品可靠性和性能的基石让每一次电压调节都精准无误，让每一个设计决策都充满信心。

• 型号:BZX84B13-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 13V 300MW SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):13 V
• 容差:±2%
• 功率 - 最大值:300 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):30 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
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您是否在寻找一颗能精准锁定13V电压的微型卫士？BZX84B13-7-F正是为您而生的解决方案！这颗300mW齐纳二极管以±2%的精密容差，为您提供稳定可靠的电压基准，让您的电路设计告别电压漂移的困扰。

它能在-65°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，无论严寒酷暑都能保持卓越性能。紧凑的SOT-23-3封装让您轻松实现高密度布局，而仅30欧姆的动态阻抗确保快速响应负载变化。选择BZX84B13-7-F，就是选择高效、稳定与安心让它为您的电子产品保驾护航！