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BZT585B43TQ-7的图片

BZT585B43TQ-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 43V 350MW SOD523
原厂封装:封装:SOD-523
优势价格,BZT585B43TQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT585B43TQ-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的精密电路中,您是否曾为电压波动带来的不确定性而困扰?当关键信号需要坚如磐石的43V基准,或是敏感负载渴望得到精准保护时,一颗性能卓越的齐纳二极管就是您设计中的“定海神针”。今天,我们为您带来的BZT585B43TQ-7,正是这样一款专为高要求应用而生的电压基准与保护解决方案,它将以其±2%的严格容差和卓越的稳定性,彻底终结您的电压精度焦虑。

想象一下,在您的便携式医疗监测设备中,传感器信号的处理容不得半点偏差;在工业自动化控制板的精密逻辑电路中,稳定的参考电压是可靠运行的基石;又或者,在汽车电子模块里,复杂的电磁环境下,关键端口亟需一道坚固的“电压防火墙”。BZT585B43TQ-7的用武之地正在于此。它不仅仅是一个简单的43V齐纳二极管,其低至50nA的反向漏电流意味着在待机或关断状态下几乎不消耗额外能量,这对于电池供电的物联网设备至关重要。而高达150°C的结温工作能力,则让它能够从容应对引擎舱附近或高密度板卡内部的热挑战,确保系统在严苛环境下依然表现如一。

选择BZT585B43TQ-7,就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。其微型的SOD-523封装(SC-79)为您节省了宝贵的PCB空间,让高密度设计成为可能。同时,其优异的动态阻抗特性,确保了即使在电流变化时,稳压效果依然精准可靠。无论是用于电压钳位、稳压基准还是瞬态电压抑制,它都能以350mW的功率处理能力,提供稳健的保护。当您需要将这份稳定与精准集成到您的下一代产品中时,可以通过我们信赖的DIODES代理商获取正品货源与技术支援,让您的创新之旅从一颗可靠的芯片开始,步步为营,稳操胜券。

  • 型号:BZT585B43TQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 43V 350MW SOD523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43 V
  • 容差:±2%
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 30.1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装:SOD-523
  • 想获取BZT585B43TQ-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗精准、可靠且节省空间的43V稳压二极管而费神吗?让BZT585B43TQ-7来轻松解决您的难题!这颗来自Diodes Incorporated的齐纳二极管,以其±2%的严格精度,为您提供坚如磐石的43V电压基准或保护阈值,确保您的电路核心电压始终稳定在预期值,大幅提升系统整体可靠性与性能一致性。

它不仅能高效完成稳压任务,其卓越的特性更让您的设计如虎添翼。极低的反向漏电流有效降低了静态功耗,延长电池寿命;宽广的-65°C至150°C工作温度范围,让它无畏严寒酷暑与内部发热挑战。采用超小型的SOD-523表面贴装封装,为您释放宝贵的电路板空间,非常适合当今追求轻薄短小的各类电子设备。选择它,就是为您的产品选择了一份从容应对各种复杂电气环境的自信与保障。

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