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BZT585B11TQ-7的图片

BZT585B11TQ-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 11V 350MW SOD523
原厂封装:封装:SOD-523
优势价格,BZT585B11TQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT585B11TQ-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压基准的微小波动而烦恼?当系统需要在严苛环境下保持精准,一颗可靠的齐纳二极管就是您最坚实的后盾。今天,我们向您隆重介绍BZT585B11TQ-7,这不仅仅是一个元件,更是您构建稳定、高效、耐用电子系统的信心之选。

想象一下,在您的电源管理模块、精密传感器接口或便携设备的保护电路中,一颗芯片正默默守护着关键的11V基准点。BZT585B11TQ-7凭借其±2%的严格容差和仅10欧姆的最大动态阻抗,确保了电压基准的异常精准与稳定。这意味着,无论负载如何变化,环境温度如何波动,它都能像磐石一样,为您提供清晰、可靠的电压参考,从根本上杜绝因基准漂移导致的系统性能下降或误动作,让您的设计从“能用”跃升为“卓越”。

它的身影可以活跃在众多前沿应用之中。无论是需要稳定电压基准的工业控制板卡,还是对空间和可靠性要求极高的汽车电子模块;无论是消费电子产品的电源保护线路,还是物联网终端设备的信号调理电路,BZT585B11TQ-7都能完美胜任。其表面贴装的SOD-523超小型封装,让它在高密度PCB板上游刃有余,帮助您最大化利用每一寸宝贵的空间。而-65°C至150°C的宽广工作结温范围,则赋予了它征服极端环境的强大能力,从酷寒的户外设备到高温的引擎周边,它都能稳定运行,大大拓展了您产品的应用疆界。

选择BZT585B11TQ-7,就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。它高达350mW的功率处理能力和极低的反向泄漏电流(100nA @ 8V),在提供强大保护的同时,将自身功耗降至最低,助力您的产品能效比再上新台阶。当您需要可靠、高性能的齐纳二极管解决方案时,通过专业的DIODES代理进行选型与采购,无疑是获得正品保障、技术支持和稳定供应的最佳途径。让BZT585B11TQ-7成为您下一个成功设计的秘密武器,与我们一同,用稳定定义卓越。

  • 型号:BZT585B11TQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 11V 350MW SOD523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V
  • 容差:±2%
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装:SOD-523
  • 想获取BZT585B11TQ-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能精准“锚定”电压、为电路提供坚实保护的微型卫士吗?BZT585B11TQ-7齐纳二极管正是为此而生。它能为您提供高度稳定的11V基准电压,容差精细至±2%,确保您的电源管理、信号调节或电压箝位电路始终工作在预设的“安全区”,有效防止过压冲击对精密元件的损害。

这颗芯片让您轻松实现高性能设计。其超低的动态阻抗和反向泄漏电流,意味着更纯净的电压基准和更低的自身功耗。同时,它采用微型SOD-523封装,节省宝贵的电路板空间,并拥有从-65°C到150°C的极端温度工作能力,让您的产品无论是面对严寒还是酷热,都能保持稳定可靠的出色表现。

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