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BZT585B10T-7的图片

BZT585B10T-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 10V 350MW SOD523
原厂封装:封装:SOD-523
优势价格,BZT585B10T-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT585B10T-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZT585B10T-7齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的精密器件,以其卓越的±2%电压容差和仅10欧姆的动态阻抗,为您构建起一道坚固而精准的电压防线,确保关键节点始终稳定在10V,让您的设计远离过压威胁,性能表现始终如一。

无论是为微处理器内核提供精准的参考电压,还是在通信接口、便携式设备的电源路径中担任瞬态电压抑制的守护者,BZT585B10T-7都能轻松胜任。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,让它无惧严苛环境挑战,从工业自动化到汽车电子,从消费类产品到医疗设备,都能稳定可靠地工作。选择与可靠的DIODES芯片代理合作,您不仅能获得这颗高品质芯片,更能获得完整的技术支持和供应链保障。这颗采用紧凑SOD-523封装的小巧器件,功率高达350mW,在节省宝贵PCB空间的同时,提供了强大的性能,其低至200nA的反向泄漏电流,更是为追求低功耗和高效能的设计注入了强大动力。

为何众多工程师在需要精密电压调节和保护时,会毫不犹豫地选择BZT585B10T-7?答案在于它无与伦比的综合价值。它不仅仅是一个参数优秀的齐纳二极管,更是系统长期稳定运行的基石。其严格的制造标准和有源的零件状态,意味着它随时可以融入您的生产流程,助力产品快速上市。当您将设计精密度、系统可靠性和供应链效率全部纳入考量时,BZT585B10T-7以其精准、坚固和易用的特性,成为了一个清晰而明智的选择,让您的产品在竞争中赢得关键的可靠性优势。

  • 型号:BZT585B10T-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 10V 350MW SOD523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V
  • 容差:±2%
  • 功率 - 最大值:350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装:SOD-523
  • 想获取BZT585B10T-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

想象一下,您的电路板需要一个既精准又坚固的“电压锚点”,BZT585B10T-7正是为此而生。这颗10V齐纳二极管能为您提供高达±2%精度的稳压基准,让您的敏感电路免受电压漂移的干扰,确保信号纯净、逻辑准确。

它不仅能稳定电压,更能主动防护。凭借350mW的功率处理能力和仅10欧姆的动态阻抗,它能高效吸收意外的电压尖峰和浪涌,为您的后端贵重芯片构筑安全屏障。其超低的反向泄漏电流和宽广的工作温度范围,让您轻松应对高低温挑战与低功耗设计要求,是提升产品可靠性与能效的得力助手。

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