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BZT52C8V2T-7的图片

BZT52C8V2T-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 8.2V 300MW SOD523
原厂封装:封装:SOD-523
优势价格,BZT52C8V2T-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT52C8V2T-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压的微小波动而困扰?一个可靠的电压基准或保护元件,往往是决定产品长期稳定运行的关键。今天,我们为您带来一款在微小封装内蕴藏巨大能量的解决方案BZT52C8V2T-7。这款来自Diodes Incorporated的8.2V齐纳二极管,以其精准的电压箝位能力和卓越的稳定性,正成为众多工程师在空间受限和高可靠性应用中的首选。它不仅仅是一个元件,更是您电路安全的“守护神”,确保核心器件始终工作在安全电压范围内,有效抵御浪涌和静电放电的冲击。

想象一下,在您精心设计的便携式设备、智能穿戴或物联网传感器模块中,每一毫米的PCB空间都无比珍贵。BZT52C8V2T-7采用的超紧凑SOD-523封装,完美契合了现代电子产品小型化的趋势,让您在有限的空间内轻松实现高效的电压调节与保护。无论是为微处理器、存储器提供稳定的参考电压,还是在电源输入端作为瞬态电压抑制器,它都能默默坚守岗位。其宽广的工作温度范围(-65°C至150°C)意味着它能从容应对从严寒户外到高温机箱内的各种严苛环境,保障您的设备从出厂到整个生命周期都稳定如一。

选择BZT52C8V2T-7,就是选择了一份安心与高效。它±6%的精密容差和低至15欧姆的最大动态阻抗,确保了电压基准的准确性和快速响应能力。同时,其极低的反向泄漏电流(仅700nA @ 5V)有助于降低整体电路的静态功耗,对于电池供电设备而言,这意味着更长的续航时间。当您通过值得信赖的DIODES代理渠道获取此产品时,您获得的不仅是一颗高品质的芯片,更是从源头保障的供货稳定性和技术支持,让您的项目开发与量产进程畅通无阻。立即将BZT52C8V2T-7纳入您的设计,为您的创新产品注入一份坚实的可靠性!

  • 型号:BZT52C8V2T-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 8.2V 300MW SOD523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装:SOD-523
  • 想获取BZT52C8V2T-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗既能精准稳压又节省空间的解决方案吗?BZT52C8V2T-7正是为您而来!这颗由Diodes Incorporated打造的8.2V齐纳二极管,能在您的电路中扮演电压基准或保护者的关键角色,轻松将电压稳定箝位在所需值,为核心敏感器件抵御过压风险。

它拥有300mW的功率处理能力和仅15欧姆的最大动态阻抗,响应迅速,效能出色。超小的SOD-523封装让它能轻松融入任何紧凑型设计,从-65°C到150°C的宽广工作温度范围则确保了它在各种极端环境下依然稳定可靠。选择它,让您的设计更高效、更稳健。

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