BZT52C4V7LP-7

在追求极致紧凑的电路设计中，您是否常常为寻找一款既能提供精准电压基准，又几乎不占用宝贵PCB空间的齐纳二极管而烦恼？今天，我们为您带来的BZT52C4V7LP-7，正是这个难题的完美答案。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，以其微型化的0402封装和卓越的电气性能，正在重新定义小型化电子设备的电压保护与基准设定标准。

想象一下，在您精心设计的便携式设备、可穿戴电子产品或高密度模块中，BZT52C4V7LP-7能够悄无声息地扮演着“电压守护者”的关键角色。它精准的4.7V齐纳电压，配合±6%的严格容差，为您的敏感电路提供了一道可靠的安全屏障，有效防止电压尖峰带来的损害。无论是为微处理器内核、低功耗传感器还是射频模块提供稳定的参考电压，它都能在-65°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，确保您的产品在各种严苛环境下依然性能如一。其低至3A的反向泄漏电流，更是为电池供电设备延长续航贡献了不可忽视的力量。

选择BZT52C4V7LP-7，意味着您选择了一种高效的设计哲学。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性、实现设计精简化的战略伙伴。其表面贴装型式让自动化生产变得轻而易举，大幅提升生产效率。当您需要可靠、稳定且货源有保障的元器件时，通过值得信赖的DIODES中国代理进行采购，无疑是确保项目顺利推进、获得完善技术支持的最佳途径。让这颗小巧而强大的齐纳二极管，成为您下一个创新设计中不可或缺的基石，助您轻松攻克空间与性能的双重挑战，赢得市场竞争的先机。

• 型号:BZT52C4V7LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.7 V
• 容差:±6%
• 功率 - 最大值:250 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):80 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 2 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• 想获取BZT52C4V7LP-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路保护方案占用过多空间而头疼吗？BZT52C4V7LP-7齐纳二极管正是为您的高密度设计而生。它能在微小的0402封装内，为您提供精准的4.7V电压基准与可靠的过压保护，让您的便携设备和精密模块免受电压波动干扰。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅250mW的功耗和低至80欧姆的动态阻抗，高效地钳位电压，确保后续电路的稳定运行。其宽广的-65°C ~ 150°C工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑，在各种环境下都表现卓越。选择它，就是选择了一种让设计更紧凑、让性能更可靠的轻松方案。