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BZT52C4V3-7-F的图片

BZT52C4V3-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
原厂封装:封装:SOD-123
优势价格,BZT52C4V3-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT52C4V3-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,BZT52C4V3-7-F齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这款来自Diodes Incorporated的精密器件,以其4.3V的精准稳压能力和卓越的可靠性,成为众多工程师在空间受限、性能要求严苛场景下的首选。它不仅仅是一个简单的二极管,更是您电路稳定运行的守护神,能将不稳定的输入电压牢牢钳位在安全范围,为后续精密元件提供纯净、可靠的电压环境。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或车载娱乐系统的核心板上,空间寸土寸金,任何元件的体积和性能都至关重要。BZT52C4V3-7-F采用紧凑的SOD-123封装,占地面积小,却能提供高达500mW的功率处理能力,轻松应对各种紧凑型PCB布局。无论是用于3.3V或5V逻辑电路的电压箝位保护,防止MCU的I/O口因过压而损坏,还是作为低功耗模拟电路的精密电压参考源,它都能在-65°C到150°C的宽广温度范围内稳定工作,确保您的产品在严寒或酷热的环境中依然表现如一。其低至3A的反向泄漏电流,意味着它在守护电路的同时,自身功耗极低,非常适合电池供电的便携设备,有效延长设备续航。

选择BZT52C4V3-7-F,就是选择了一份经得起考验的安心。±7%的容差提供了良好的精度与成本平衡,90欧姆的最大动态阻抗确保了稳压性能的快速响应。与市场上同类产品相比,它集高可靠性、小尺寸和出色的电气性能于一身,能显著提升您最终产品的稳定性和市场竞争力。为了确保您能获得原装正品和稳定的供货支持,我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购。让这颗小小的芯片,成为您伟大设计中不可或缺的坚实基石,助您的产品在激烈的市场竞争中稳如磐石,赢得先机。

  • 型号:BZT52C4V3-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V
  • 容差:±7%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123
  • 供应商器件封装:SOD-123
  • 想获取BZT52C4V3-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能精准稳压、节省空间且高度可靠的电路保护核心吗?BZT52C4V3-7-F齐纳二极管正是为您而来。它能将电压稳定在4.3V,有效箝制过压,为您的微处理器、传感器或其他精密IC提供坚实的电压屏障,让您的设计免受电压浪涌的侵害。

这颗芯片采用微型SOD-123贴片封装,让您能在极其紧凑的电路板上轻松布局,同时提供高达500mW的功率处理能力。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围和极低的反向泄漏电流,确保您的设备无论是在严苛的工业环境还是持久的电池供电应用中,都能实现高效、稳定的运行。

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