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BZT52C10-7-F的图片

BZT52C10-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
原厂封装:封装:SOD-123
优势价格,BZT52C10-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZT52C10-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压波动而烦恼?当精密元件需要精准的10V参考电压时,任何微小的偏差都可能导致性能下降甚至系统失效。现在,一颗卓越的稳压二极管将彻底改变这一局面它就是来自Diodes Incorporated的BZT52C10-7-F。这款器件不仅仅是简单的电压钳位元件,更是您电路系统中可靠性的基石,以其±6%的严格容差和仅为20欧姆的低动态阻抗,确保电压输出如磐石般稳固,让您的设计从此告别因电压不稳带来的不确定性。

想象一下,在紧凑的便携式设备内部,空间寸土寸金,而性能要求却丝毫不减。BZT52C10-7-F以其微小的SOD-123封装完美契合了这一需求。无论是智能手机的电源管理模块、蓝牙耳机的充电保护电路,还是物联网传感器的精密供电部分,它都能轻松融入,提供高效的10V稳压保护。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,意味着从严寒的户外设备到高温的汽车电子舱内,它都能持续稳定工作,为您的产品拓展更广阔的应用疆域。选择我们的DIODES一级代理,您获得的不仅是正品保障,更是从选型到技术支持的全流程服务,确保这颗芯片的价值在您的产品中得到最大化发挥。

为何众多工程师在需要10V稳压方案时,会毫不犹豫地选择BZT52C10-7-F?答案在于它无与伦比的综合价值。500mW的功率处理能力足以应对大多数常规应用场景,而低至200nA@7V的反向泄漏电流则极大提升了系统的能效。更值得一提的是,其正向压降仅为900mV@10mA,在作为保护二极管时损耗极低。这颗芯片代表的是一种设计哲学:以最小的空间占用和成本,实现最高级别的可靠性与性能。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品竞争力、赢得市场信任的关键伙伴。让BZT52C10-7-F成为您下一个成功设计的秘密武器吧!

  • 型号:BZT52C10-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123
  • 供应商器件封装:SOD-123
  • 想获取BZT52C10-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的电压基准不够精准而困扰吗?BZT52C10-7-F正是为您而来的解决方案!这颗来自Diodes的10V齐纳二极管,能为您提供稳定可靠的电压钳位与基准,其±6%的精密容差和低至20欧姆的动态阻抗,确保您的关键电路节点电压始终如一,让设计性能大幅提升。

它采用紧凑的SOD-123表面贴装封装,让您能在极其有限的空间内轻松实现高效稳压。无论是保护敏感IC免受电压浪涌冲击,还是在电源管理中提供精准参考,BZT52C10-7-F都能以高达500mW的功耗能力和-65°C至150°C的宽温工作范围,出色完成任务,显著增强您产品的可靠性与环境适应性。

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