BSS84W-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电路板是否还在为寻找一颗既能稳定控制小功率负载，又能节省宝贵空间的P沟道MOSFET而烦恼？答案或许就藏在BSS84W-7这颗精巧的芯片之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性与设计灵活性的得力助手。

想象一下，在那些对空间和功耗都极为敏感的便携式设备、智能穿戴或物联网传感器模块中，BSS84W-7能够游刃有余地扮演电源开关或信号切换的关键角色。其高达50V的漏源电压和130mA的连续漏极电流，为低压小电流应用场景提供了坚实的保障。无论是管理电池供电线路，还是驱动微型继电器、LED指示灯，它都能以极低的导通电阻（典型值10欧姆@5V驱动）确保能量高效传输，将损耗降至最低，从而有效延长设备的续航时间。

选择BSS84W-7，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。它采用行业标准的SOT-323封装，体积小巧却性能强悍，能轻松融入高密度的PCB布局，为您的产品“瘦身”增色。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定运行，让您的设计无惧挑战。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获取到品质有保障的库存，为现有产品维护或特定项目开发提供持续支持。这颗芯片承载着Diodes Incorporated的工艺精髓，是您在纷繁元件市场中实现精准控制、优化成本结构的明智之选。

• 型号:BSS84W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在为微型设备的电源管理寻找一颗“小而强”的开关吗？BSS84W-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有50V的耐压和130mA的电流处理能力，让您能轻松、高效地控制各种低压小功率电路的通断。

它采用超紧凑的SOT-323封装，能极大节省您的电路板空间，特别适合便携式消费电子、智能传感器等对尺寸有苛刻要求的应用。其优异的开关特性（低至10欧姆的导通电阻）意味着更低的能量损耗和更长的电池寿命，直接提升您终端产品的竞争力。