BSS84TC

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中，您是否还在为寻找一款既能可靠控制小功率负载，又能轻松集成到有限空间里的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案BSS84TC。这款由Diodes Incorporated精心打造的P沟道MOSFET，以其卓越的性价比和稳定的性能，持续为各类电子设备注入高效动能。

想象一下，在您的便携式设备、智能穿戴或物联网模块中，需要一颗小巧但可靠的“开关”来管理电源路径、实现负载切换或信号隔离。BSS84TC正是为此而生。它采用经典的SOT-23-3封装，面积微小，却能稳健处理高达50V的电压和130mA的连续电流，为您的电路板节省每一寸宝贵空间。其5V的低驱动电压特性，让它能轻松被微控制器等低压逻辑电路直接驱动，简化了您的设计，减少了外围元件，直接降低了整体系统成本。无论是电池供电设备的电源管理，还是模拟开关、信号选通等精密控制场合，它都能出色完成任务，确保系统运行既稳定又高效。

选择BSS84TC，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的工艺、广泛的成功应用案例以及市场上充足的库存，使其成为许多经典设计延续和成本敏感型项目开发的理想之选。它不仅仅是一个元件，更是您实现设计构想、优化产品性能的可靠伙伴。当您需要确保元器件来源正宗、供应稳定时，通过正规的DIODES授权代理进行采购，是保障产品质量与供货链安全的最佳途径。让BSS84TC以它的经典魅力与实用价值，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:BSS84TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSS84TC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能完美适配低压控制、小电流开关应用的MOSFET吗？BSS84TC正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有50V的耐压和130mA的连续电流能力，配合仅5V的低驱动电压，让您能轻松地用单片机GPIO口直接控制，极大简化电路设计，提升系统可靠性。

它采用超小的SOT-23-3贴片封装，为您极度紧凑的PCB布局提供可能，非常适合便携式设备、智能传感器模块等空间受限的应用。其稳定的性能和广泛的适用性，能帮助您高效实现电源切换、负载开关及信号隔离等功能，是您打造高效、精巧电子产品的得力助手。