BSS8402DWQ-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为分立器件的布局和性能妥协而烦恼？现在，一个集高效、可靠与节省空间于一体的解决方案已经到来BSS8402DWQ-7。这款来自Diodes Incorporated的N/P沟道MOSFET阵列，以其卓越的逻辑电平门驱动能力和精妙的集成设计，正重新定义小型化设备的功率开关标准。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器节点中，需要同时高效控制正负电压轨。传统的分立方案不仅占用宝贵的PCB面积，更增加了布线的复杂性与寄生参数的风险。BSS8402DWQ-7将N沟道与P沟道MOSFET完美集成于微小的SOT-363封装内，为您提供了即插即用的互补对解决方案。其高达60V/50V的漏源电压和逻辑电平门驱动特性（Vgs(th)最大仅2.5V），意味着它可以直接由微控制器或低电压逻辑电路轻松驱动，极大地简化了您的驱动电路设计，让系统响应更迅捷，功耗更低。

选择BSS8402DWQ-7，就是选择了一份从容与高效。其出色的导通电阻（低至13.5欧姆）确保了在开关过程中的功率损耗最小化，将更多能量用于核心功能。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，无论是工业自动化还是汽车电子中的辅助应用，都能稳定运行。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES代理商合作，您不仅能获得这颗性能优异的芯片，更能得到从选型支持到稳定供应的全方位服务保障，让您的产品创新之路畅通无阻。这不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、加速上市周期的强大引擎。

• 型号:BSS8402DWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V，50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA，130mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V，45pF @ 25V
• 功率 - 最大值:200mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在为复杂的双路开关电路发愁吗？BSS8402DWQ-7为您提供一站式解决方案！这颗高度集成的MOSFET阵列，内部包含N沟道和P沟道晶体管，让您轻松实现高效的互补对称开关，完美适用于需要控制正负电源轨或进行信号路径选择的场景。

它专为简化您的设计而生。其逻辑电平门驱动特性（阈值电压低至2.5V）意味着您可以直接用微控制器的GPIO口来驱动，无需复杂的电平转换电路，大大节省了外围元件和PCB空间。同时，高达60V/50V的耐压和低至13.5欧姆的导通电阻，确保了开关过程高效、损耗小，让您的系统运行更凉爽、更持久。