BSS84-7-F

当您的设计需要在有限空间内实现高效功率控制时，您是否曾为寻找一颗既可靠又经济的P沟道MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍BSS84-7-F，这颗来自Diodes Incorporated的微型功率开关，正以其卓越的性能重新定义小信号应用的效率标准。

想象一下，在您的便携设备、智能传感器模块或精密电源管理电路中，BSS84-7-F就像一位沉默而高效的守护者。它拥有高达50V的漏源电压耐受能力，足以从容应对多种低压场景的电压波动，为您的系统提供坚实的保护屏障。而其130mA的连续漏极电流，配合仅需5V的低驱动电压，意味着您可以用极低的控制成本，轻松驾驭负载的开关，显著降低整体系统的功耗与复杂性。这颗芯片的魔力在于平衡在微小的SOT-23-3封装内，实现了低导通电阻（典型值10欧姆@5V）与快速开关特性的完美结合，确保信号清晰、损耗极低，让每一份电能都物尽其用。

它的舞台遍布现代电子生活的各个角落。无论是需要精密电源轨切换的物联网终端设备，还是电池供电的便携式医疗仪器中负责安全关断的电路，亦或是消费电子中背光驱动、负载开关等关键位置，BSS84-7-F都能稳定胜任。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严寒酷暑，从工业现场到消费产品，都能保持一贯的可靠表现。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的耐用性。当您寻求稳定供应与专业支持时，信赖专业的DIODES芯片代理将是确保项目顺利推进的明智之举。

那么，为何众多工程师在众多选择中独钟于BSS84-7-F？理由清晰而有力：它提供了难以匹敌的性价比。在追求小型化、低功耗的今天，它用极小的物理空间占用量，交付了强大的电气性能。简单的驱动要求减少了外围电路设计，加快了您的研发周期；出色的可靠性则直接转化为产品更长的使用寿命和更低的售后维护成本。这不仅仅是一颗晶体管，更是一个提升产品竞争力、优化BOM成本的战略选择。让它成为您下一个成功设计中的核心动力开关吧。

• 型号:BSS84-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能简化设计、提升效率的微型功率开关吗？BSS84-7-F正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有50V的耐压和130mA的连续电流能力，让您能轻松驾驭各种低压小功率负载的精准开关控制。

它的核心价值在于高效与易用。仅需5V的驱动电压即可实现低导通电阻，显著降低开关损耗和系统功耗。其紧凑的SOT-23-3封装为您节省宝贵的电路板空间，非常适合便携式设备、传感器模块和电源管理电路。选择BSS84-7-F，意味着为您的产品注入了可靠、紧凑且经济高效的功率控制核心。