BSS138W-7

在追求极致紧凑与高效能的设计中，工程师们是否常常为寻找一颗既能满足低压驱动、又能实现稳定信号切换的微型MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍BSS138W-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为现代高密度电子设备量身定制的微型开关解决方案。它以其卓越的电气性能和微小的封装尺寸，重新定义了空间受限应用中的功率管理可能性。

想象一下，在您的便携式设备、智能穿戴或物联网模块中，需要一颗可靠的“电子开关”来控制信号通路或管理微小功率。BSS138W-7正是为此而生。它50V的漏源电压和200mA的连续漏极电流，足以轻松应对各类低压逻辑电平转换、负载开关及信号隔离任务。其低至1.5V的栅极阈值电压，意味着它能够被绝大多数微控制器GPIO口直接、高效地驱动，无需额外的电平转换电路，这不仅简化了您的设计，更直接降低了系统BOM成本和PCB空间占用。无论是让LED阵列精准点亮，还是管理传感器模块的供电，它都能成为您电路中那个沉默而可靠的关键执行者。

选择BSS138W-7，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与极致空间效率的结合。其SOT-323封装在提供出色散热性能（200mW功耗）的同时，占地面积比常见的SOT-23更小，为您的PCB布局赢得了宝贵的毫米级空间。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为许多经典或长生命周期产品设计的优选。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目顺利推进的坚实后盾。让这颗小巧却强大的芯片，成为您下一个创新产品中不可或缺的效能基石。

• 型号:BSS138W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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您是否正在寻找一颗能完美平衡性能、尺寸与驱动简易性的微型开关器件？BSS138W-7 N沟道MOSFET就是您的理想之选。它专为低压、小电流的精密控制场景设计，能让您轻松实现高效的信号切换与负载管理。

这颗芯片能为您做什么？它拥有50V的耐压和200mA的电流处理能力，配合仅1.5V的低开启阈值，让您可以直接用微控制器的逻辑电平来驱动，实现电路的通断控制，极大地简化了设计。其微小的SOT-323封装，帮助您在寸土寸金的电路板上节省宝贵空间，同时确保稳定的工作表现。