BSS138W-7-F

在追求极致小型化和高效能的电子设计中，您是否曾为寻找一颗既能节省宝贵空间，又能提供稳定可靠开关性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的BSS138W-7-F，正是解决这一痛点的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其紧凑的SOT-323封装和出色的电气特性，正在重新定义小信号开关的应用标准，让您的设计在性能和尺寸之间取得完美平衡。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器模块中，每一平方毫米的PCB空间都价值千金。BSS138W-7-F的微型化设计让您能够轻松实现高密度布局，而其高达50V的漏源电压和200mA的连续漏极电流，确保了在电池供电或低功耗场景下，信号切换与负载驱动依然强劲稳定。无论是用于电源管理中的负载开关，还是作为逻辑电平转换的关键元件，它都能以极低的导通电阻（典型值仅3.5欧姆@10V驱动）和快速的开关响应，显著提升系统整体效率，减少能量损耗，延长设备续航。

选择BSS138W-7-F，意味着您选择了一份来自业界领先制造商的品质承诺。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品卓越的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定运行。同时，其优化的栅极阈值电压（最大1.5V）使其与常见的微控制器和逻辑电路完美兼容，大大简化了您的驱动电路设计。当您需要可靠、高效的半导体解决方案时，与值得信赖的DIODES芯片代理合作，无疑是获得正品货源和技术支持的最佳途径。让这颗小巧而强大的芯片，成为您下一个创新产品中不可或缺的“高效能心脏”，驱动无限可能。

• 型号:BSS138W-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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您是否在寻找一颗能轻松驾驭低电压、小电流开关任务的“全能选手”？BSS138W-7-F正是这样一颗专为高效空间利用而生的N沟道MOSFET。它能让您在紧凑的SOT-323封装内，获得高达50V的耐压和200mA的驱动能力，完美胜任便携设备、传感器接口和信号切换等应用。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效比。极低的导通电阻意味着更小的功率损耗和更低的发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。同时，其与标准逻辑电平（如3.3V或5V）的良好兼容性，让您无需复杂的电平转换电路，即可实现高效、可靠的开关控制，大幅简化设计流程，加速产品上市。