BSS138TC

在追求极致小型化和高效能的设计中，您是否曾为寻找一颗既能稳定控制小电流信号，又能节省宝贵电路板空间的N沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的BSS138TC，正是为满足这一精准需求而生的杰出解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性与集成度的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密电源管理电路中，BSS138TC凭借其N沟道设计和50V的漏源电压能力，能够轻松胜任信号切换、负载开关及电平转换等关键任务。其仅需10V的驱动电压即可实现优异的导通性能，导通电阻低至3.5欧姆，这意味着更低的功耗和更少的热量产生，让您的设备运行更冷静、更持久。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定如一，为您的产品品质保驾护航。

为何众多工程师在需要小型化、高可靠性MOSFET时，会优先考虑BSS138TC？答案在于它卓越的价值平衡。SOT-23-3的超紧凑封装，让它能在寸土寸金的PCB上优雅栖身，极大释放设计空间。同时，200mA的连续漏极电流能力，完美覆盖了大量低功率应用场景的需求。选择它，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。为了确保您能获得原厂正品与及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购，这不仅是产品可靠性的保证，更是项目顺利推进的坚实后盾。让BSS138TC以小巧身躯，为您的创新设计注入强大而稳定的控制力。

• 型号:BSS138TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能高效、可靠地控制小功率电路的开关吗？BSS138TC正是您的理想之选。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，专为低电压、小电流的精密控制场景而优化。

它能让您轻松实现信号切换与负载管理，其10V驱动电压和低至3.5欧姆的导通电阻，确保了快速响应与高效节能。采用SOT-23-3表贴封装，帮助您最大限度地节省电路板空间，非常适合集成到便携式设备、物联网模块及各种需要高密度布局的现代电子产品中。