BSS138Q-7-F

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否正在寻找一款能够在小空间内实现可靠信号切换与负载控制的解决方案？答案或许就藏在BSS138Q-7-F这颗精巧的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、优化电路布局的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、IoT传感器模块或精密模拟电路中，需要高效、安静地切换微小信号或驱动轻负载。BSS138Q-7-F凭借其50V的漏源电压和200mA的连续漏极电流能力，为这些应用场景提供了坚实的保障。其低至1.5V的栅极阈值电压，意味着它能够轻松被微控制器等低电压逻辑电路直接驱动，无需复杂的电平转换，极大地简化了您的设计。更令人印象深刻的是，在10V驱动下仅3.5欧姆的导通电阻，确保了在开关过程中极低的功率损耗，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。

从消费电子到工业控制，从电源管理到信号路径选择，这颗芯片的适用性远超想象。其SOT-23-3的超小型封装，是应对当今PCB空间日益紧张的绝佳选择，让您能在方寸之间布局更复杂的电路功能。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的韧性，无论是寒冷的户外还是高温的机箱内部，都能稳定工作。选择BSS138Q-7-F，就是选择了一份由Diodes Incorporated品质背书的可靠性。为了确保您获得正品保障与稳定的供货支持，我们推荐您通过官方DIODES授权代理进行采购。它不仅仅是一个元件，更是您产品迈向高效、紧凑与可靠的关键一步，立即将它纳入您的设计，开启性能提升的新篇章。

• 型号:BSS138Q-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在为寻找一颗体积小巧、驱动简单且高效的开关器件而烦恼吗？BSS138Q-7-F正是为您而来！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有50V耐压和200mA的电流处理能力，能轻松胜任各种信号切换与轻负载驱动任务。

它的最大魅力在于极高的易用性。仅需1.5V的栅极电压即可开启，让您能直接用单片机GPIO口驱动，省去额外的电平转换电路，设计更简洁。同时，其低至3.5欧姆的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更高效、发热更少。采用标准的SOT-23-3贴片封装，为您节省宝贵的PCB空间，是追求高密度与高可靠性的理想选择。