BSS138-7-F

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能精准控制微小电流，又能在紧凑空间内稳定工作的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来的BSS138-7-F，正是这样一颗能够完美平衡性能、尺寸与可靠性的N沟道MOSFET，它将以卓越的电气特性和广泛的适应性，成为您下一个项目中的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、IoT传感器模块或精密模拟电路中，需要一颗开关来高效、安静地管理信号路径或电源轨。BSS138-7-F凭借其50V的漏源电压和200mA的连续漏极电流能力，完全能够胜任这些任务。其核心魅力在于极低的驱动门槛仅需1.5V的栅极阈值电压即可开启，这意味着它能够轻松被微控制器GPIO口直接驱动，无需复杂的电平转换电路，极大地简化了您的设计。同时，在10V驱动下仅3.5欧姆的导通电阻，确保了在开关过程中极低的功率损耗，让您的系统运行更凉爽，电池续航更持久。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它那经典的SOT-23-3封装，是业界公认的“空间魔术师”，能在电路板上为您节省出宝贵的每一平方毫米，尤其适合对体积有严苛要求的可穿戴设备和超薄型消费电子产品。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应能力，无论是严寒还是酷热，都能保证稳定如一的表现。当您需要为产品选择一颗值得信赖的MOSFET时，BSS138-7-F提供的不仅仅是基础的开关功能，更是一份关于高效、紧凑和可靠的设计承诺。通过与专业的DIODES代理商合作，您不仅能获得这颗优质芯片，还能得到完整的技术支持和供应链保障，让您的创新之路更加顺畅。

• 型号:BSS138-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为低功耗电路中的信号切换和负载控制寻找一颗“听话”又高效的开关吗？BSS138-7-F正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为低电压、小电流的精密控制场景而生。

它能让您轻松实现高效能开关。仅需1.5V的低开启电压，让微控制器可以直接驱动，省去额外电路；同时，其3.5欧姆的低导通电阻能显著减少开关损耗，提升整体能效。无论是管理电池供电设备的电源路径，还是切换传感器信号，它都能确保快速响应和极低的能量浪费。

此外，其小巧的SOT-23-3封装和高达150°C的工作结温，让您能在空间受限或环境温度较高的设计中放心使用，极大地增强了产品的可靠性和设计灵活性。