BSS123WQ-7-F

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否正在寻找一款既能胜任高压小信号切换，又能为紧凑空间设计提供坚实保障的解决方案？答案或许就藏在BSS123WQ-7-F这颗小巧而强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、简化设计流程、确保长期稳定性的得力伙伴。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密传感器模块中，需要高效、安静地控制一个关键电路的通断。BSS123WQ-7-F凭借其高达100V的漏源电压耐受能力，为您提供了宽广的安全操作裕度，轻松应对各种潜在的电压尖峰，让您的设计基础更加稳固。而其170mA的连续漏极电流与低至6欧姆的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着它能在小电流应用中实现极低的导通损耗，有效减少能量浪费，直接转化为更长的设备续航时间或更低的系统温升，这对于追求绿色节能和可靠性的现代电子产品至关重要。

这款器件的魅力远不止于参数。它专为高密度PCB设计而生，采用超小型的SOT-323封装，几乎不占用宝贵的板面空间，让您的布局更加灵活自由，为产品实现更小巧、更时尚的外观设计扫清障碍。从工业控制模块中的信号隔离与切换，到消费电子中的负载开关与电源管理，再到汽车电子中的辅助控制单元，BSS123WQ-7-F都能无缝融入，以其稳定的表现守护每一个电路节点的精确运作。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是赋予了它适应严苛环境挑战的坚韧品质，无论是酷暑还是严寒，都能保持一贯的高性能。

选择BSS123WQ-7-F，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的品质承诺与技术创新。它平衡了性能、尺寸与可靠性，是工程师在面临空间与效能双重约束时的理想选择。当您需要可靠的原厂正品货源与技术支持时，可以随时联系我们的DIODES代理商，他们将为您提供从选型到供应的全程专业服务。让这颗高效能的MOSFET，成为您下一个成功设计中不可或缺的“核心开关”，开启更高效、更可靠的电子应用新篇章。

• 型号:BSS123WQ-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 想获取BSS123WQ-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否希望为您的紧凑型电子设备找到一颗高效、可靠的“电路开关”？BSS123WQ-7-F正是为此而生。这款N沟道MOSFET能轻松处理高达100V的电压和170mA的电流，以其低至6欧姆的导通电阻，确保信号切换高效顺畅，最大限度降低功率损耗。

它采用微型的SOT-323表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，让高密度设计变得轻而易举。无论是用于便携设备的电源管理、传感器信号的通断控制，还是其他需要高压小电流开关的应用，它都能稳定工作于-55°C至150°C的宽广温度范围，提供值得信赖的长期性能。选择它，让您的设计更精简、能效更出色、运行更可靠。