BSS123W-7

您是否正在为紧凑型设备寻找一款既能承受高压又能保持微小体积的开关解决方案？想象一下，在空间极其有限的PCB板上，既要实现高效的电源管理，又要确保信号的稳定切换，这往往让工程师们绞尽脑汁。现在，这一切有了优雅的答案BSS123W-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现小型化、高效化设计的关键拼图。

在当今追求极致便携的消费电子领域，从TWS耳机、智能手表的充电管理，到便携式医疗设备的精密控制，再到物联网传感器节点的低功耗开关，空间和效率是永恒的主题。BSS123W-7凭借其SOT-323的超紧凑封装，轻松融入最苛刻的布局。其高达100V的漏源电压和170mA的连续漏极电流，为低压系统中的信号隔离、负载切换提供了可靠保障，让您的设计在狭小空间内也能游刃有余地处理相对较高的电压场景，比如电池保护电路或电平转换接口。

选择BSS123W-7，意味着您选择了一种经过市场验证的稳健性能。尽管该型号已停产，但其成熟的设计和广泛的既往应用案例，使其成为特定存量项目或对长期稳定性有极高要求的设计的可靠之选。它极低的输入电容（仅60pF）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体能效。当您需要为经典设计寻找稳定可靠的开关核心时，与专业的DIODES芯片代理合作，确保您能获得正品货源与技术支持，让产品生命周期管理再无后顾之忧。这颗小小的芯片，承载的是Diodes对品质的一贯坚持，它能帮助您将复杂的电路构想，转化为稳定、精巧的现实产品。

• 型号:BSS123W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 想获取BSS123W-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为微型设备中的高效开关选型而犹豫吗？BSS123W-7就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET专为空间受限的应用设计，它能以SOT-323的极小身形，为您轻松实现高达100V电压、170mA电流的可靠控制，是信号切换和负载管理的得力助手。

它采用先进的MOSFET技术，具备低至6欧姆的导通电阻和快速的开关响应，能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的紧凑型设计注入一颗高效而强健的“心脏”。