BSS123W-7-F

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否还在为寻找一款性能稳定、体积小巧且性价比高的N沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个不容错过的卓越选择BSS123W-7-F。这款来自Diodes Incorporated的明星产品，以其100V的耐压能力和170mA的连续漏极电流，在紧凑的SOT-323封装内，为您的小功率开关与信号控制应用注入了强大的动力。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品性能、优化电路设计的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密传感器模块中，BSS123W-7-F正默默发挥着关键作用。其仅需4.5V的低驱动电压即可高效开启，最大导通电阻低至6欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的系统效率，让您的设备运行更持久、更冷静。无论是用于负载开关、电平转换，还是作为信号隔离与放大的关键一环，它都能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，确保您的产品在各种严苛环境下依然表现如一。这正是为什么众多工程师在需要高可靠性、小尺寸解决方案时，会第一时间想到它。

选择BSS123W-7-F，就是选择了一份安心与高效。其表面贴装（SMT）设计完美适配现代自动化生产线，能大幅提升您的生产效率和一致性。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES一级代理合作，您不仅能获得稳定、正品的货源保障，还能享受到专业的技术支持和快速的交付服务，让您的项目从研发到量产一路畅通。别再让普通的MOSFET限制您产品的潜力，立即采用BSS123W-7-F，开启高效、可靠设计的新篇章，让您的创意在精密的电路中自由驰骋！

• 型号:BSS123W-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭小功率开关任务，同时兼顾高效与可靠性的核心器件？BSS123W-7-F正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和170mA的连续电流能力，配合仅6欧姆的低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电路运行更高效、更节能。

它采用超紧凑的SOT-323封装，非常适合空间受限的便携式设备和精密模块。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和稳定的性能，确保您的产品在各种环境下都能可靠工作。选择BSS123W-7-F，就是选择让您的设计更简洁、性能更出众。