BSS123TC

在追求极致效率的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在小空间内稳定处理中压信号的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个经典而可靠的解决方案BSS123TC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和紧凑的SOT-23-3封装，在众多应用中证明了其持久的价值。虽然产品状态已标注为停产，但其成熟的工艺、稳定的性能以及在库存和替代方案上的持续支持，使其依然是许多经典设计或特定需求场景下的明智之选。

想象一下，在那些需要精密信号切换或低功率负载控制的场合，比如便携式设备的电源管理模块、通信接口的隔离电路，或是工业传感器中的信号调理部分。BSS123TC能够轻松胜任。它170mA的连续漏极电流和低至6欧姆的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着它能在确保高效导通的同时，将能量损耗降至最低。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是赋予了产品应对苛刻环境挑战的坚韧品质，让您的设计无惧温度波动，运行始终稳定。

选择BSS123TC，不仅仅是选择了一颗参数合适的MOSFET，更是选择了一份经过市场长期验证的可靠性。它的驱动门槛低，仅需2.8V（最大值）的栅极阈值电压，使其能与多种逻辑电平轻松对接，简化您的驱动电路设计。极低的输入电容（最大20pF @ 25V）确保了快速的开关响应，有效提升系统整体效率。当您需要为现有产品维护寻找可靠元件，或在新设计中寻求一个高性价比、高稳定性的中压开关方案时，BSS123TC及其可能的替代型号，都能通过专业的DIODES授权代理为您提供全面的技术支持与供应链保障，让您的产品开发之路更加顺畅无忧。

• 型号:BSS123TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能高效、可靠地控制中小功率电路的开关吗？BSS123TC正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压能力和170mA的连续电流处理能力，采用微小的SOT-23-3封装，能轻松集成到空间受限的PCB设计中，是电池供电设备、信号路径切换和负载点控制的理想选择。

它能让您的设计事半功倍。其低至6欧姆的导通电阻（@10V Vgs）意味着更低的导通损耗和更高的能效，而仅需2.8V（最大值）即可开启的特性，让您能轻松使用常见的微控制器GPIO口直接驱动，极大简化了电路。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种环境下都能稳定运行，为您产品的可靠性保驾护航。