BSN20-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一颗性能可靠、尺寸小巧的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出BSN20-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的50V耐压和500mA连续电流能力，正成为工程师手中点亮创意、驱动创新的秘密武器。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现高效能量控制、提升产品可靠性的坚实基石。

想象一下，在您的手持设备、便携式音频播放器或是需要精密电源管理的物联网模块中，BSN20-7正悄然发挥着核心作用。其超低的导通电阻（最大仅1.8欧姆@10V）意味着更少的能量损耗在发热上，让您的设备续航更持久，运行更冷静。无论是用于负载开关、电平转换，还是电机驱动等辅助电路，它都能以极高的效率响应您的控制信号，确保每一次开关都精准而迅速。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是赋予了产品无与伦比的环境适应性，从容应对各种严苛挑战。

选择BSN20-7，就是选择了一份安心与高效。它采用行业标准的SOT-23封装，在为您节省宝贵PCB空间的同时，也简化了生产贴装流程。极低的栅极电荷和输入电容特性，让驱动它变得异常轻松，无需复杂的驱动电路，即可实现快速开关，显著降低系统整体复杂度和成本。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的官方DIODES代理商网络随时待命，为您提供从样品到批量的一站式服务。让这颗小巧但强大的芯片，成为您下一个成功产品设计中不可或缺的一环，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:BSN20-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSN20-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要高效、紧凑电源管理的方案吗？BSN20-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有50V的漏源电压和500mA的连续电流能力，能轻松担当起电路中的关键开关角色。

它凭借低至1.8欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷，让您实现高效的能量转换与快速的开关响应，显著减少功率损耗和发热。采用微小的SOT-23封装，它能完美融入空间受限的便携式设备、智能传感器或消费电子产品中，帮助您打造更节能、更可靠、更具竞争力的设计。