BS250PSTZ

当您的设计需要一款可靠、高效的P沟道MOSFET来管理电源开关时，您是否曾为寻找一款在性能、尺寸和成本间取得完美平衡的解决方案而困扰？现在，答案就在眼前BS250PSTZ，这颗来自Diodes Incorporated的经典P沟道MOSFET，以其卓越的稳定性和广泛的适用性，正成为众多工程师在低压控制电路中的首选。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或低压逻辑接口电路中，BS250PSTZ能够轻松扮演“电源守门员”的角色。它高达45V的漏源电压和230mA的连续漏极电流，为您的设计提供了充足的安全余量，确保在各种工况下稳定运行。其10V的驱动电压即可实现低导通电阻，这意味着更低的开关损耗和更高的整体效率，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。无论是用于负载开关、电平转换，还是信号隔离，它都能以微小的体积（经典的TO-92兼容封装）和出色的热性能（工作温度范围-55°C至150°C），无缝集成到您的紧凑设计中。

选择BS250PSTZ，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一份经过市场长期验证的可靠性与性价比。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和庞大的市场存量，使其依然是许多经典设计或对供应链有特定要求项目的理想选择。通过与值得信赖的DIODES芯片代理合作，您可以便捷地获取这颗性能稳定的芯片，确保项目进度与物料质量。它就像一位经验丰富的老兵，虽然不再是最新列装，但其扎实的性能和广泛的适用场景，依然能在您的电路板上一展身手，为产品的稳定运行保驾护航，让您的设计省心、可靠。

• 型号:BS250PSTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:45 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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您正在寻找一颗能高效、可靠地控制低压电源通断的“开关”吗？BS250PSTZ正是您需要的解决方案！这颗P沟道MOSFET能轻松处理高达45V的电压和230mA的电流，让您在便携设备、电池保护或逻辑接口等应用中，实现精准的电源管理。

它采用经典的TO-92兼容封装，易于焊接和集成，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的设计选择了一份简单、高效与安心。