BS170PSTOB

在寻找一款能够在小信号切换和负载驱动应用中稳定发挥的MOSFET时，您是否常常在性能、成本和可靠性之间难以抉择？现在，答案变得清晰而简单BS170PSTOB正是您期待的那颗“全能选手”。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品稳定性和设计灵活性的关键伙伴。

想象一下，在您的电源管理模块、信号开关电路或是低功率电机驱动中，一颗小巧的芯片正默默承担着高效切换的任务。BS170PSTOB凭借其N沟道设计和高达60V的漏源电压承受能力，为您的小电流应用提供了坚固的屏障。其270mA的连续漏极电流和仅5欧姆的低导通电阻，意味着在信号通路中，它能最大限度地减少能量损耗，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非浪费在发热上。这种高效能转换，直接转化为您产品更长的续航和更稳定的运行表现。

无论是消费电子中的智能开关、工业控制里的传感器接口，还是各类嵌入式系统的外围驱动，BS170PSTOB都能轻松融入。它经典的TO-92兼容封装（E-Line），让工程师在原型设计或批量生产中都能得心应手，通孔安装方式提供了极佳的焊接可靠性和散热基础。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛环境下依然稳定如初，从炎热的车间到寒冷的户外，性能始终在线。选择它，就是选择了一份经得起时间考验的耐用性。

当您需要一个值得信赖的合作伙伴来确保关键元器件的稳定供应时，BS170PSTOB背后强大的制造商Diodes Incorporated提供了品质保证。虽然该型号已停产，但通过可靠的DIODES中国代理渠道，您依然可以获得经过严格筛选的优质库存，为您的经典设计或特定维护需求提供持续支持。这不仅仅是一颗芯片的采购，更是为您的项目选择了一个可靠的后盾。让BS170PSTOB成为您电路中那个沉默却强大的基石，开启高效、稳定设计的新篇章。

• 型号:BS170PSTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取BS170PSTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为低功率电路中的信号切换效率而烦恼吗？BS170PSTOB N沟道MOSFET就是为您排忧解难的得力助手。它能轻松驾驭高达60V的电压和270mA的电流，以低至5欧姆的导通电阻，确保您的小信号或负载驱动电路能量损耗最小化，运行更高效。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其经典的TO-92兼容封装让安装调试变得异常简便，而宽广的-55°C至150°C工作温度范围，则赋予了它应对各种环境挑战的强悍能力。无论是用作电子开关、接口驱动还是低侧负载开关，它都能提供稳定可靠的性能，让您的产品基础更加扎实。