BS170FTC

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否曾为寻找一款能在有限空间内稳定控制信号、兼具可靠性与成本效益的开关解决方案而困扰？今天，我们为您带来一个经典而强大的答案BS170FTC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的漏源电压和仅SOT-23-3的微型封装，完美诠释了“小身材，大能量”的工程哲学。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现高效电路设计的得力助手，尤其适合那些对空间和功耗都极为敏感的应用。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或低功耗传感器模块中，BS170FTC能够轻松扮演信号切换或负载开关的关键角色。其10V的驱动电压和低至5欧姆的导通电阻（在200mA，10V条件下），意味着您可以用更低的控制功耗实现清晰、快速的开关动作，有效减少能量损失，延长设备续航。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，无论是炎夏的户外设备还是寒冬的工业控制节点，它都是值得信赖的守护者。

选择BS170FTC，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与极致的性价比。尽管其零件状态标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的应用基础，库存及替代方案依然可通过正规的DIODES代理商渠道获取，为您的现有产品维护或特定设计需求提供了成熟稳定的组件支持。它的表面贴装形式（SMT）兼容现代自动化生产线，能显著降低您的组装成本并提升生产效率。当您需要一款能够以微小体积承载中等电压开关任务、并且对成本控制有要求的MOSFET时，BS170FTC无疑是一个经过时间淬炼的明智之选，它能帮助您的产品在性能与成本之间找到最佳平衡点，释放更大的市场竞争力。

• 型号:BS170FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 150UA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BS170FTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能高效、可靠地处理低电流开关任务的微型MOSFET吗？BS170FTC正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压能力，专为信号切换、负载管理和低功耗控制电路而优化。其核心价值在于，让您能用极简的电路和微小的SOT-23-3封装空间，实现清晰、快速的电子开关功能。

凭借10V的驱动电压和低导通电阻特性，它能帮助您的设计显著降低开关损耗，提升整体能效。无论是用于便携设备的电源管理，还是作为传感器模块中的信号选通器，BS170FTC都能确保稳定、精准的操作。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）更进一步保证了在各种环境下的可靠性，让您的产品设计无后顾之忧，轻松应对多样化的应用挑战。