BS107PSTZ

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在严苛环境下稳定工作的小功率开关解决方案而烦恼？现在，答案来了BS107PSTZ，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、确保长期稳定运行的可靠伙伴。凭借其200V的高耐压能力和120mA的连续漏极电流，它能在众多应用中游刃有余地承担起高效开关的重任，让您的设计在性能与成本之间找到完美平衡点。

想象一下，在汽车电子模块、工业控制板或是需要精密电源管理的消费电子产品中，BS107PSTZ正默默发挥着关键作用。它那高达150°C的结温工作范围，意味着即使在发动机舱附近的高温环境或长时间运行的工业设备中，它也能保持冷静与稳定，确保信号切换或负载驱动的精准无误。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，更是为您的产品贴上了“可靠耐用”的标签，无论是应对日常颠簸还是极端温度变化，都能让您和您的终端用户倍感安心。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的保险。

那么，在众多同类器件中，为何独独青睐BS107PSTZ？理由清晰而有力。首先，其极低的驱动电压要求（最低仅需2.6V）和仅30欧姆的导通电阻，意味着它能以更低的功耗实现高效的开关动作，直接帮助您优化系统的整体能效，延长电池寿命或降低散热需求。其次，经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅兼容性强、易于焊接和测试，也经过了市场的长期验证，为您的生产制造提供了便利与可靠性保障。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，别忘了联系我们的DIODES授权代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择BS107PSTZ，就是选择了一个集高性能、高可靠性与高性价比于一体的解决方案，它将助力您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得更多信赖。

• 型号:BS107PSTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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还在为小功率开关电路寻找一颗“扛得住”又“省心”的核心器件吗？BS107PSTZ正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有200V的强劲耐压和120mA的驱动能力，让您轻松应对各种低压控制、信号切换或负载驱动的场景。其出色的开关特性，能帮助您实现高效、精准的电路控制。

更令人放心的是，它具备汽车级AEC-Q101认证，工作温度横跨-55°C至150°C，确保在严苛环境下依然稳定如一。采用经典的TO-92兼容封装，让您的设计和生产流程都变得简单高效。选择BS107PSTZ，就是为您的产品注入一份可靠的动力核心。