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BC856AFHWQ-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
原厂封装：封装:U-DFN1110-3（SWP）（A 型）
优势价格，BC856AFHWQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BC856AFHWQ-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:BC856AFHWQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN1110-3（SWP）（A 型）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
  • 描述:GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:65 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:650mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:125 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大值:420 mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
  • 封装/外壳:3-PowerUDFN
  • 供应商器件封装:U-DFN1110-3（SWP）（A 型）
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