BAS40LP-7-79

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为信号路径上的微小损耗而烦恼？当每一毫安的电流、每一纳秒的延迟都至关重要时，选择正确的肖特基二极管，往往就是决定产品性能胜负的关键手。今天，我们向您隆重介绍一款专为高密度、高效率应用而生的微型化解决方案BAS40LP-7-79。这款来自Diodes Incorporated的肖特基整流器，以其卓越的性能和微小的封装，正在重新定义空间受限场景下的电路设计可能性。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴电子产品或高密度模块的内部，每一平方毫米的电路板空间都价值千金。BAS40LP-7-79正是为此而生。它采用了前沿的X1-DFN1006-2封装，尺寸仅为0402（1006公制），几乎不占用宝贵的PCB面积，让您的布局设计游刃有余。但别被它娇小的身躯迷惑，其内核蕴含着强大的能量：高达40V的反向电压和200mA的平均整流电流，足以应对大多数便携式和信号处理应用的需求。更令人惊叹的是其超低的正向压降，在40mA电流下仅为1V，这意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

这颗芯片的价值远不止于节省空间和提升能效。其5纳秒的超快反向恢复时间，确保了在高速开关电路中信号的纯净与完整，有效避免了因二极管关断延迟导致的信号失真和噪声干扰。无论是用于射频信号的检波、高速数据线的保护，还是作为低压差电源中的整流元件，BAS40LP-7-79都能提供稳定、迅捷的响应。同时，其极低的反向漏电流（30V下仅200nA）和微小结电容（2.3pF），进一步保障了电路在高频下的性能与稳定性，是追求高精度、低噪声设计的工程师的理想选择。当您需要可靠且高性能的肖特基二极管解决方案时，选择DIODES芯片代理，就是选择了品质与信心的保障。

因此，当您的下一个项目面临空间、效率和速度的多重挑战时，无需再妥协。BAS40LP-7-79以其微型封装、高效能、快速度的完美结合，提供了一个清晰而强大的答案。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计创新的得力伙伴。立即将它纳入您的物料清单，亲身体验它将为您的电路带来的变革性提升。

• 型号:BAS40LP-7-79
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOT 40V 200MA X1DFN10062
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:40 V
• 电流 - 平均整流 (Io):200mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
• 速度:小信号 =\< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr):5 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 30 V
• 不同Vr、F 时电容:2.3pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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您是否正在寻找一颗既能节省宝贵电路板空间，又能提供出色电气性能的肖特基二极管？BAS40LP-7-79正是您的理想之选。这颗微型化的表面贴装器件，让您能在最紧凑的设计中轻松实现高效的信号整流与保护。

它拥有40V的反向耐压和200mA的整流能力，足以应对多种低压应用场景。其核心优势在于极高的效率：正向压降低至1V @ 40mA，能显著减少功率损耗，帮助您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，高达5ns的超快反向恢复时间和极低的寄生参数，确保它在高频开关和信号处理电路中表现精准而稳定，有效提升系统整体性能。