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APT13005SI-G1的图片

APT13005SI-G1

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS NPN 450V 3.2A TO-251
原厂封装:封装:TO-251
优势价格,APT13005SI-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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APT13005SI-G1的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求更高能效与可靠性的电源设计中,您是否曾为高压开关电路的性能瓶颈而困扰?当传统方案在450V高压环境下显得力不从心时,一颗兼具高耐压与强电流驱动能力的功率晶体管,往往能成为整个系统稳定运行的基石。这正是APT13005SI-G1诞生的意义它不仅仅是一个元件,更是您突破设计限制、构建高效电源架构的得力伙伴。

想象一下,在开关电源(SMPS)的初级侧,或者在电子镇流器、电机控制等需要处理高压直流或交流线路的应用中,稳定可靠的开关动作至关重要。APT13005SI-G1以其高达450V的集射极击穿电压和3.2A的持续集电极电流能力,为您提供了坚实的保障。它能够从容应对线路上的电压尖峰和浪涌,确保系统在严苛的电气环境下依然稳定工作。其紧凑的TO-251封装不仅节省了宝贵的PCB空间,更便于散热设计,让您的产品在追求小型化的同时,无需牺牲功率处理能力。

选择这颗芯片,意味着您选择了一份经得起考验的可靠性。其宽广的工作温度范围(-65°C至150°C)使其能够适应从工业控制到消费电子的多种环境挑战。更重要的是,作为Diodes Incorporated的经典产品之一,其性能参数经过了市场的长期验证。虽然该型号目前已停产,但通过可靠的DIODES代理渠道,您依然可以获得稳定可靠的货源,用于现有产品的维护、升级或特定批次的持续生产,这为您的供应链提供了宝贵的灵活性和延续性。在高压、中功率的应用领域,APT13005SI-G1以其均衡的性能和久经考验的稳定性,依然是许多工程师心中值得信赖的选择。

  • 型号:APT13005SI-G1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-251
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 450V 3.2A TO-251
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 750mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):8 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值:25 W
  • 频率 - 跃迁:4MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
  • 供应商器件封装:TO-251
  • 想获取APT13005SI-G1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

当您的设计需要一颗能够稳健掌控高压开关任务的“核心力量”时,APT13005SI-G1正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的NPN功率晶体管,拥有高达450V的耐压和3.2A的电流处理能力,让您在设计开关电源、电子镇流器或电机驱动电路时,面对高压主回路也能信心十足。

它不仅能高效完成开关任务,其优异的饱和压降特性(典型值1V @ 3A)意味着更低的导通损耗,直接帮助您提升系统整体能效。TO-251封装兼顾了功率密度与散热需求,让您的产品设计更加紧凑高效。选择它,就是为您的电源系统选择一个经久耐用、性能可靠的心脏。

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