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APT13005DT-G1

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS NPN 450V 4A TO-220-3
原厂封装:封装:TO-220-3
优势价格,APT13005DT-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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APT13005DT-G1的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求更高能效和可靠性的电源设计中,您是否曾为高压大电流开关器件的选择而反复权衡?今天,我们为您带来一个集性能、可靠性与价值于一体的卓越解决方案APT13005DT-G1。这颗来自Diodes Incorporated的高性能NPN双极性晶体管,以其高达450V的集射极击穿电压和4A的持续集电极电流能力,正重新定义中高功率开关应用的性能标杆。它不仅是一颗晶体管,更是您构建稳定、高效电源系统的坚实基石。

想象一下,在您的开关电源、电机驱动或电子镇流器项目中,APT13005DT-G1能够轻松应对严苛的高压环境。其卓越的电气特性,如低至900mV的饱和压降(在4A条件下),直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生,这意味着您的系统效率更高,散热设计更简单,整体运行更凉爽、更持久。无论是工业控制设备中的功率转换,还是消费类电子产品的电源模块,这颗芯片都能提供稳定可靠的开关性能,确保您的产品在复杂工况下依然表现出色。

选择APT13005DT-G1,就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。Diodes Incorporated以其严谨的工艺和测试标准,确保了每一颗芯片都具备从-65°C到150°C结温范围内的稳定工作能力。其经典的TO-220-3通孔封装,不仅提供了优异的散热性能和机械强度,也简化了您的PCB布局与生产装配流程。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时,通过授权的DIODES芯片代理进行采购,是保障供应链稳定和获取专业服务的最佳途径。让这颗集高耐压、大电流、低损耗于一身的强大器件,成为您下一个成功产品的核心驱动力。

  • 型号:APT13005DT-G1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 450V 4A TO-220-3
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):900mV @ 1A,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):8 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值:75 W
  • 频率 - 跃迁:4MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 想获取APT13005DT-G1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能扛起高压开关重任的核心器件吗?APT13005DT-G1正是为您而来。这颗NPN双极性晶体管拥有高达450V的耐压和4A的电流处理能力,专为要求苛刻的开关应用设计。它能轻松担当起电源转换、电机控制或照明驱动电路中的关键开关角色,让您的系统在面对高压冲击时稳如泰山。

得益于其优异的性能参数,如低饱和压降和高功率容量(75W),APT13005DT-G1能显著提升能效,减少热能浪费,从而简化您的散热设计。其宽泛的工作温度范围(-65°C ~ 150°C)确保了在极端环境下的可靠运行。选择它,就是为您的产品注入高效、耐用且值得信赖的动力核心。

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