2N7002WKX-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内实现高效信号切换与负载控制的解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍2N7002WKX-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足现代电子设备对小型化、高可靠性的严苛要求而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、简化电路设计的得力助手。

想象一下，在您的汽车电子模块、便携式设备或精密控制电路中，2N7002WKX-7正以其高达60V的漏源电压和115mA的连续漏极电流，稳定可靠地执行着开关任务。其极低的导通电阻（典型值仅7.5欧姆@5V驱动）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接转化为更长的电池续航和更高的系统效率。无论是用于电平转换、负载开关，还是作为信号路径上的一个关键控制点，它都能确保信号的纯净与快速响应，让您的设计在性能上脱颖而出。

选择2N7002WKX-7，就是选择了一份经过AEC-Q101车规认证的安心。它专为严苛的汽车环境打造，工作温度范围宽达-55°C至150°C，能够从容应对从冰点到酷热的极端挑战，确保您的产品在任何环境下都稳定如山。其微小的SOT-323封装，为您的PCB布局提供了极大的灵活性，让您在寸土寸金的电路板上也能游刃有余地实现高密度集成。当您需要可靠且高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES代理商合作，是确保您能及时获得正品货源和技术支持，从而加速产品上市进程的明智之举。

• 型号:2N7002WKX-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在寻找一颗能轻松驾驭低压高效开关任务的“全能选手”吗？2N7002WKX-7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET，凭借其60V的耐压能力和115mA的驱动电流，让您在设计信号切换、负载控制或接口保护电路时，能够游刃有余，实现高效、精准的电子控制。

它采用先进的MOSFET技术，在仅需5V或10V的低驱动电压下，即可实现极低的导通电阻，显著减少功率损耗和发热，直接提升您的系统能效。其超小的SOT-323表面贴装封装，让您轻松应对紧凑的电路板空间挑战，实现高密度设计。无论是用于消费电子、汽车电子还是工业控制，它都能成为您电路中可靠且高效的核心开关元件。