2N7002VC-7

在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否还在为寻找一款既能节省宝贵空间，又能提供可靠开关性能的解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出2N7002VC-7，这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，正是为应对现代电子设备小型化、高集成度挑战而生的利器。它不仅仅是一个元件，更是您释放设计潜能、提升产品竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或智能穿戴产品的核心板上，每一平方毫米都弥足珍贵。2N7002VC-7采用超小型的SOT-563封装，将两个独立的60V耐压、0.28A电流能力的MOSFET集成于一身，其占板面积之小，足以让您在布局时游刃有余，轻松实现更复杂的功能集成。这意味着您可以在不牺牲性能的前提下，让产品变得更轻薄、更时尚，直接击中市场对精致外观与强大内芯的双重需求。无论是用于信号切换、负载开关，还是作为逻辑电平转换的桥梁，它都能以稳定的表现，确保您系统的流畅运行。

选择2N7002VC-7，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其高达150°C的结温工作范围，赋予了产品无与伦比的环境适应能力，从严寒到酷热，性能始终如一。7.5欧姆的低导通电阻（在5V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，这对于提升能效、延长电池寿命至关重要。当您需要稳定、高效的货源支持时，遍布全球的DIODES代理商网络随时待命，为您提供从样品到批量生产的无缝衔接服务，确保您的项目进度畅通无阻。让这颗小巧而强大的芯片，成为您下一个爆款产品中不可或缺的“智慧开关”，开启高效与可靠的新篇章。

• 型号:2N7002VC-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:150mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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还在为电路板空间紧张而发愁吗？2N7002VC-7双N沟道MOSFET阵列就是您的空间魔术师。它将两个性能独立的MOSFET集成在微小的SOT-563封装内，让您轻松实现高密度布局，为产品瘦身的同时，毫不妥协地提供60V耐压和280mA的连续电流处理能力。

这颗芯片能为您做什么？它就像您电路中的两位高效“交通指挥员”。凭借低至2.5V的开启阈值和7.5欧姆的导通电阻，它能让您用微弱的控制信号，精准、高效地切换中小功率负载，显著降低功耗与发热。无论是便携设备的电源管理、信号路径选择，还是接口保护，2N7002VC-7都能让您的设计更简洁、运行更可靠，助您轻松赢得市场先机。